UMV-1050-R16-G是一款由L3Harris Technologies生产的射频(RF)混频器模块,专为高性能通信、雷达和测试设备应用设计。该混频器模块在设计上优化了低噪声和高线性度性能,适用于需要高精度信号转换的高频系统。UMV-1050-R16-G属于UMV系列的封装混频器产品,采用紧凑的封装形式,便于集成到各种射频电路中。
工作频率范围:10 MHz 至 50 GHz
本振(LO)功率:+7 dBm 至 +13 dBm
转换损耗:典型值 8 dB
输入三阶交调截点(IIP3):+15 dBm
隔离度:LO-RF、LO-IF、RF-IF 均大于 20 dB
工作温度范围:-55°C 至 +85°C
封装类型:表面贴装(SMD)
电源要求:无源器件,无需外部供电
UMV-1050-R16-G具有多项显著的技术特性,首先其宽频带操作能力使其适用于多种射频和微波应用场景。该混频器能够在10 MHz至50 GHz的频率范围内稳定工作,覆盖了从低频通信到毫米波系统的广泛频段。其转换损耗典型值为8 dB,确保了信号转换过程中的高效性,同时其高线性度特性(IIP3为+15 dBm)使得在处理高功率信号时仍能保持较低的失真水平。
此外,该混频器具备良好的隔离性能,LO-RF、LO-IF和RF-IF之间的隔离度均超过20 dB,有效减少了信号之间的串扰,提高了系统的整体性能。UMV-1050-R16-G采用无源设计,无需外部电源,降低了系统的复杂性和功耗。
该模块的表面贴装封装形式(SMD)便于自动化生产和高密度PCB布局,适用于现代高频电路的小型化需求。同时,其宽温工作范围(-55°C至+85°C)确保了在极端环境下的稳定性和可靠性,适用于航空航天、国防和工业测试等高要求领域。
UMV-1050-R16-G广泛应用于需要高性能混频功能的射频和微波系统中。其主要应用包括通信基础设施(如5G基站、卫星通信系统)、雷达系统(包括军用和民用雷达)、测试与测量设备(如频谱分析仪、信号发生器)、微波收发器以及各种高频信号处理平台。该混频器的高线性度和低噪声特性使其特别适合用于高动态范围的接收机前端,能够有效提升系统的灵敏度和抗干扰能力。
UMV-1040-R16-G, UMV-1060-R16-G