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UMT2NTR 发布时间 时间:2025/5/29 11:00:42 查看 阅读:8

UMT2NTR是一种基于双极性晶体管(BJT)技术的NPN型小信号晶体管。它广泛应用于各类电子电路中,例如放大器、开关电路和信号调节电路等。该晶体管具有较高的增益、较低的噪声以及快速的开关速度,适用于音频放大、脉冲调制和其他高频应用领域。
  UMT2NTR在设计上注重稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持良好的性能表现。此外,它的封装形式通常为小型化的TO-92或SOT-23,便于表面贴装和手工焊接。

参数

集电极-发射极饱和电压:0.2V
  集电极最大电流:200mA
  集电极-发射极击穿电压:45V
  功率耗散:625mW
  直流电流增益(hFE):100~400
  过渡频率(fT):300MHz
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

UMT2NTR晶体管具有以下主要特性:
  1. 高电流增益(hFE),确保在放大电路中有较好的灵敏度和线性度。
  2. 快速的开关速度,适合用于高频数字电路中的开关功能。
  3. 较低的饱和电压,能够减少功耗并提高效率。
  4. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。
  5. 小尺寸封装,便于在紧凑型电路板上进行布局和安装。
  6. 较高的击穿电压,提升了其在高压环境下的可靠性和抗干扰能力。

应用

UMT2NTR可应用于以下场景:
  1. 音频放大器中的前置级放大电路。
  2. 开关电源中的驱动电路或保护电路。
  3. 数字逻辑电路中的高速开关元件。
  4. 传感器信号调理电路中的增益控制单元。
  5. 各种脉冲信号生成与处理电路。
  6. 电池供电设备中的低功耗控制电路。
  7. 稳压电路中的误差放大器部分。

替代型号

2N3904, BC547, PN2222A

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UMT2NTR参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换140MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)