最大重复反向电压（VRRM）：100 V
　　最大均方根电压（VRMS）：70 V
　　直流阻断电压（VDC）：100 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：1 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30 A
　　正向电压（VF）：1.1 V（典型值），1.3 V（最大值）@ IF = 1 A
　　反向漏电流（IR）：5 μA（典型值）@ VR = 100 V, TA = 25°C
　　反向恢复时间（trr）：15 ns（典型值）
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 °C 至 +150 °C
　　热阻（RθJA）：150 K/W（典型值）
　　封装类型：SOD-123W

UMT1H0R1MDD1TD 具备出色的电气性能和稳定性，其核心优势在于高速开关能力与低功耗特性的结合。该器件采用硅外延平面工艺制造，确保了良好的掺杂均匀性和 PN 结质量，从而实现了较短的反向恢复时间（trr），典型值仅为 15 ns，使其非常适合高频开关电源、DC-DC 转换器及高速整流电路中使用。在正向导通状态下，其正向压降 VF 在 1 A 电流下典型值为 1.1 V，最大不超过 1.3 V，这一低导通损耗特性有助于提高整体电源转换效率并减少热积累。此外，该二极管具备高达 30 A 的峰值浪涌电流承受能力，能够在瞬态过载或启动冲击条件下保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　该器件的反向漏电流极低，在室温下施加额定反向电压时典型值仅为 5 μA，这表明其具有优良的阻断能力和低静态功耗，适用于待机功耗敏感的应用场合。其工作结温范围宽达 -55 °C 至 +150 °C，支持极端环境下的可靠运行，无论是高温工业环境还是低温户外设备均可适用。SOD-123W 封装不仅体积小巧（约 2.8 mm × 1.6 mm × 1.1 mm），还具备良好的散热性能和机械强度，便于自动化贴片生产，提升组装效率。所有金属电极均采用无铅镀层设计，符合 RoHS 和 WEEE 环保标准，支持绿色环保制造流程。此外，该器件通过 AEC-Q101 汽车级可靠性认证的可能性较高，部分批次可用于汽车电子系统中的辅助电源模块或车载信息娱乐系统供电路径中。

UMT1H0R1MDD1TD 主要用于需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管，尤其是在低压直流输入的 AC-DC 和 DC-DC 转换器中发挥关键作用；也可作为反向极性保护元件，防止电池或外部电源接反而损坏后级电路。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中，该二极管常用于电源管理单元（PMU）的旁路与隔离功能。此外，它还可用于驱动继电器、电机或电感负载时的续流（飞轮）二极管，以抑制关断瞬间产生的反电动势对控制芯片造成损害。在通信基础设施设备中，例如路由器、交换机和光模块电源部分，该器件因其快速响应和低噪声特性而被广泛采用。工业控制领域中，PLC 模块、传感器接口电路和仪表电源也常集成此类高性能小信号整流二极管以提升系统稳定性与能效。由于其紧凑的 SOD-123W 封装，特别适合高密度 PCB 布局设计，有助于实现更轻薄的产品形态。

1N4148WT