产品型号：UMT1H010MDD
　　制造商：UniMicron Technology Corp. (UMTC)
　　产品类型：HDI封装基板
　　应用封装类型：FC-BGA/SiP/MCM
　　介质材料：ABF类树脂薄膜
　　介电常数(Dk)：约3.2~3.8 @1GHz
　　损耗因子(Df)：约0.008~0.012 @1GHz
　　最小线宽/线距：≤15μm/15μm
　　导体材料：电解铜或压延铜箔
　　铜厚：典型值8~12μm
　　层数：可根据设计需求定制，常见6~12层
　　表面处理：ENIG（化学镍金）
　　尺寸规格：根据客户IC设计定制
　　玻璃化转变温度(Tg)：≥180°C
　　热膨胀系数(CTE)：X/Y轴<15ppm/°C，Z轴<60ppm/°C（Tg以下）
　　耐热性：可通过无铅回流焊多次热循环测试

UMT1H010MDD封装基板具备卓越的高频信号传输性能，得益于其采用的低Dk和低Df介质材料，在高速数字和射频应用场景下能显著降低信号延迟和能量损耗。该基板通过激光钻孔与半加成法（SAP）或改进型半加成法（mSAP）工艺实现超精细线路制造，支持线宽线距达到15μm甚至更低，满足现代高密度I/O芯片对布线密度的严苛要求。其多层堆叠结构设计结合精准的层间对准技术，确保了信号完整性和电源完整性，同时有效减少了电磁干扰（EMI）。基板内部的微通孔（Microvia）结构经过优化设计，具有良好的可靠性和导通能力，能够在高温高湿环境下保持稳定的电气连接。此外，UMT1H010MDD具备出色的热管理能力，其热膨胀系数与硅芯片较为匹配，能够有效缓解因温度变化引起的应力集中问题，从而提升封装整体的耐久性和寿命。该基板还具备良好的机械强度和尺寸稳定性，适合自动化贴片和回流焊接工艺流程，兼容现有的SMT生产线。在制造过程中，UniMicron采用了严格的质量控制体系，包括AOI自动光学检测、飞针测试和阻抗控制等手段，确保每一批产品的良率和一致性。该产品还支持多种电源和接地平面布局设计，可为多核处理器或异构集成芯片提供低噪声供电路径，进一步增强系统性能。
　　UMT1H010MDD的设计灵活性使其能够适应不同客户的具体需求，包括不同的球栅排列、厚度组合、散热结构（如嵌入式热沉）以及特殊测试接口布置。这种定制化能力使得它在高端半导体封装市场中占据重要地位，尤其是在追求极致性能的AI芯片、GPU和网络处理器领域。随着先进制程节点不断推进，芯片对外部互连密度的要求日益提高，UMT1H010MDD凭借其高密度互连能力和优异的电气特性，成为连接芯片与PCB之间的关键桥梁。

UMT1H010MDD主要应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）加速器、图形处理器（GPU）、5G基站射频模块、智能手机应用处理器以及车载高级驾驶辅助系统（ADAS）芯片的封装中。在这些应用中，芯片往往具有数百至上千个I/O引脚，并工作在高频、高功耗条件下，因此对封装基板的布线密度、信号完整性和热管理能力提出了极高要求。UMT1H010MDD凭借其微细化线路和多层堆叠结构，能够支持Flip-Chip键合工艺下的高密度凸点连接，确保芯片与基板之间实现高效、稳定的电信号传输。在移动设备领域，该基板被用于封装应用处理器和基带芯片，帮助实现更轻薄的产品设计和更强的运算能力。在数据中心和服务器市场，UMT1H010MDD支持大尺寸FC-BGA封装，用于CPU和AI训练芯片的封装，保障高速SerDes链路的稳定运行。此外，在毫米波通信和雷达系统中，该基板的低损耗特性有助于维持射频信号的纯净度和传输效率，减少插入损耗和反射。汽车电子方面，随着智能网联汽车的发展，越来越多的高性能SoC需要可靠的封装解决方案，UMT1H010MDD因其高可靠性和耐环境性，逐步进入车规级封装供应链。该基板还可用于高密度存储模块、FPGA和ASIC等专用集成电路的封装，满足工业控制、医疗电子和航空航天等领域对长期稳定运行的需求。

ABF-G系列基板
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