UMP11NTN 时间：2025/12/25 11:20:12 阅读：15

UMP11NTN是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于便携式电子设备和电池供电系统中。该器件采用紧凑型封装，适合高密度PCB布局，具备低导通电阻和优异的开关性能，能够在低电压条件下高效运行。UMP11NTN的设计重点在于降低功耗并提高系统效率，因此非常适合用于负载开关、电源管理模块以及信号切换等场景。其P沟道结构允许在栅极施加低于源极的电压时导通，简化了驱动电路设计，尤其适用于3.3V或5V逻辑电平直接控制的应用场合。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，符合工业级工作温度范围要求，并通过了多项国际环保标准认证，如RoHS和不含卤素（Halogen-free），确保其在现代绿色电子产品中的适用性。由于其小型化封装和高性能特性，UMP11NTN常被用于智能手机、平板电脑、无线耳机、可穿戴设备以及其他对空间和能效有严格要求的消费类电子产品中。

参数

型号：UMP11NTN
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：-4.4A（@ Vgs = -4.5V）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（@ Vgs = -4.5V）
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs = -2.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容（Ciss）：470pF（@ Vds = 10V）
　　功率耗散（Pd）：1W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：UMT3（SOT-23兼容）

特性

UMP11NTN具备出色的低导通电阻特性，在Vgs为-4.5V时，Rds(on)典型值仅为32mΩ，而在更低的驱动电压-2.5V下也能保持45mΩ的低阻状态，这使得它在电池供电设备中能够显著减少传导损耗，提升整体能效。这种低Rds(on)特性对于需要长时间待机或频繁开关操作的应用尤为重要，例如移动设备中的电源路径控制或负载开关功能。该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.0V，表明其可在较低的栅极驱动电压下实现有效导通，支持与3.3V甚至1.8V逻辑电平兼容的控制器直接接口，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了物料成本。此外，UMP11NTN采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力，同时增强了热传导性能，有助于在小尺寸封装下维持稳定的电气表现。
　　该器件的输入电容仅为470pF（在Vds=10V条件下测得），意味着其开关速度较快，动态响应良好，适合高频开关应用。低电容也减少了驱动电路的能量消耗，进一步提升了系统的能源利用率。UMP11NTN的最大连续漏极电流可达-4.4A，脉冲电流能力高达-12A，展现出强大的瞬态负载处理能力，适用于突发性大电流需求的场景，如电机启动、LED闪光灯驱动或USB端口电源管理。其1W的功率耗散能力和-55°C到+150°C的工作结温范围确保了在恶劣环境下的长期可靠性。封装方面，UMT3（类似SOT-23）是一种三引脚小型表面贴装封装，体积小巧，便于自动化贴片生产，且具有良好的散热性能，适合高密度集成设计。此外，该产品符合RoHS指令和无卤素要求，体现了ROHM在可持续发展和环境保护方面的承诺，使其成为现代绿色电子产品的理想选择之一。

应用

UMP11NTN主要应用于各类便携式电子设备中的电源管理和信号切换功能。典型应用场景包括智能手机和平板电脑中的电池电源开关，用于控制主处理器、显示屏或其他外设模块的供电通断，以实现节能待机或快速唤醒功能。在可穿戴设备如智能手表和无线耳机中，该器件可用于管理多个电源域之间的切换，确保不同工作模式下的最优能耗表现。此外，UMP11NTN也常用于USB充电端口的过流保护和热插拔控制电路中，作为高端开关元件，防止反向电流流动并限制浪涌电流。在工业和消费类电子产品中，它还可作为DC-DC转换器的同步整流开关、LED背光驱动电路中的开关元件，或者用于音频信号路径的选择与隔离。由于其支持逻辑电平直接驱动的能力，该MOSFET也被广泛用于微控制器I/O扩展电路中，作为驱动继电器、传感器或指示灯的接口元件。在物联网（IoT）设备中，UMP11NTN可用于低功耗模式下的电源门控，帮助延长电池寿命。此外，其高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统的电源管理单元。总之，任何需要高效、小型化P沟道MOSFET进行低压直流开关控制的场合，UMP11NTN都是一个极具竞争力的选择。