时间：2025/12/27 8:31:34
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UMMSZ5248B是一款由Microsemi（现为Microchip Technology的一部分）生产的表面贴装硅齐纳二极管，属于UMMSZ52xxB系列。该器件采用SOD-123封装，专为需要稳定参考电压和电压箝位功能的小型化电子电路设计。齐纳二极管是一种特殊类型的二极管，在反向击穿区工作时能够维持一个相对恒定的电压，因此广泛用于电源管理、信号调节以及过压保护等应用中。UMMSZ5248B的标称齐纳电压为24V，适用于需要精确电压基准的场合。
该器件具有良好的温度稳定性和低动态阻抗，能够在宽温度范围内提供稳定的电压输出。其小尺寸封装使其非常适合空间受限的应用场景，如便携式设备、通信模块和工业控制系统。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代电子产品对环保和可靠性的要求。
类型：齐纳二极管
极性：单路
标称齐纳电压：24V
容差：±5%
功率耗散：500mW
最大反向电流：200mA
工作结温范围：-65°C 至 +175°C
封装/外壳：SOD-123
UMMSZ5248B具备优异的电气性能和热稳定性，其核心优势之一是低动态阻抗，这意味着在负载变化或输入波动的情况下，输出电压仍能保持高度稳定。这一特性对于精密模拟电路中的参考电压源至关重要。该器件的电压容差控制在±5%以内，确保了出厂一致性，减少了系统校准的需求。在高温环境下，其稳定的电压特性依然得以保持，得益于优化的半导体材料和制造工艺，能够在-65°C至+175°C的极端温度范围内正常工作，适用于严苛工业和汽车应用场景。
该齐纳二极管采用SOD-123封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。其表面贴装结构支持自动化贴片生产，提高了组装效率和产品一致性。热阻特性优良，有助于将内部产生的热量有效传导至PCB，从而提升长期运行的可靠性。此外，该器件具有较低的反向漏电流，在未达到击穿电压前几乎不导通，有效降低待机功耗。
UMMSZ5248B还具备良好的瞬态响应能力，可用于抑制电压尖峰和静电放电（ESD）事件，提供一定程度的电路保护。其结构设计确保在额定功率内可承受反复的瞬时过压冲击而不会发生性能退化。结合其高可靠性与长寿命特性，该器件适合用于医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统等对安全性要求极高的领域。
UMMSZ5248B常用于需要稳定24V参考电压的模拟电路中，例如ADC/DAC偏置电路、稳压电源反馈回路和电压监测系统。它也广泛应用于工业控制系统的信号调理模块，作为过压保护元件防止敏感IC受损。在通信设备中，可用于线路端口的浪涌抑制和电平箝位。此外，该器件适用于电池供电设备中的电压基准源，以及汽车电子中的传感器接口电路。由于其高温度耐受性，也可用于发动机舱附近或高温环境下的电子模块。
MMSZ5248B-7-F
