时间:2025/12/27 8:30:14
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UMMSZ5243B是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装齐纳二极管,属于UMMSZ52xxB系列。该器件采用SOD-123FL小型封装,适用于需要紧凑布局和高精度电压参考的应用场景。齐纳二极管是一种特殊的半导体二极管,工作在反向击穿区域,能够在宽范围的电流变化下维持一个相对稳定的电压,因此常被用于电压调节、电压保护、电平钳位以及基准电压源等电路中。UMMSZ5243B的标称齐纳电压为20V,典型齐纳测试电流为5mA,在此条件下表现出良好的电压稳定性和温度特性。由于其采用小尺寸封装和低功耗设计,该器件特别适合便携式电子设备、电源管理模块、消费类电子产品及工业控制电路中的空间受限应用。此外,该器件具有快速响应时间和低动态电阻,能够有效抑制瞬态电压波动,提升系统稳定性。制造工艺上,UMMSZ5243B遵循AEC-Q101汽车级可靠性标准,具备较高的环境适应性和长期工作可靠性,适用于对品质要求较高的应用场景。
类型:齐纳二极管
封装/包装:SOD-123FL
齐纳电压(Vz):20V @ 5mA
容差:±5%
最大齐纳阻抗(Zzt):900Ω
最大反向漏电流(Ir):10μA @ 18V
功率耗散:200mW
工作温度范围:-65°C ~ 150°C
温度系数:+7.5 mV/°C(典型值)
测试电流(Iz):5mA
UMMSZ5243B的核心特性之一是其精确且稳定的齐纳电压输出。在5mA的测试电流下,其标称齐纳电压为20V,容差控制在±5%以内,确保了在多种工作条件下的电压一致性。这一精度水平使其适用于需要高稳定性的电压参考电路,例如模拟信号调理、ADC/DAC偏置电压生成以及电源反馈环路中的基准设定。该器件的动态阻抗(Zzt)最大为900Ω,在同类小功率齐纳二极管中表现良好,意味着其在负载电流波动时仍能保持较小的电压变化,从而提高系统的稳压性能。此外,其反向漏电流在18V偏置下不超过10μA,表明在未达到击穿电压前具有优异的绝缘性能,有助于降低待机功耗和噪声干扰。
另一个关键特性是其优良的温度稳定性。UMMSZ5243B具有+7.5mV/°C的典型温度系数,虽然为正值,但在20V档位的齐纳二极管中属于合理范围。通过适当的设计补偿或与负温度系数元件配合使用,可在较宽温度范围内实现更稳定的电压输出。该器件的工作结温范围高达150°C,支持高温环境下的可靠运行,适用于汽车电子、工业控制系统等严苛应用场合。SOD-123FL封装不仅体积小巧(约2mm x 1.3mm),还优化了热传导路径,提升了散热效率,使得在200mW功率等级下仍能保持良好热稳定性。此外,该器件符合RoHS环保要求,并通过AEC-Q101认证,进一步增强了其在汽车和高可靠性领域的适用性。
UMMSZ5243B广泛应用于需要稳定电压参考或过压保护的小型电子系统中。在电源管理领域,它可用于低压直流电源的输出电压采样反馈回路中,作为误差放大器的基准电压源,确保输出电压的长期稳定性。在模拟电路中,该器件可为运算放大器、比较器或其他模拟IC提供偏置电压,尤其适用于对电压精度有一定要求但功耗受限的场合。由于其响应速度快、反向击穿特性明确,UMMSZ5243B也常用于瞬态电压抑制(TVS)辅助电路中,与TVS二极管或RC网络配合,实现对敏感引脚的电平钳位保护,防止静电放电(ESD)或电压浪涌造成的损坏。
在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中,该器件因其小尺寸封装而成为理想选择,可用于内部电源轨的电压监测或LED驱动电路的限压保护。在工业控制和自动化设备中,UMMSZ5243B可用于传感器信号调理电路中的电压箝位,防止输入信号超出ADC输入范围。此外,在汽车电子系统中,如车身控制模块、车载信息娱乐系统或电池管理系统中,该器件可用于电源监控电路或接口电平转换部分,提供可靠的电压基准。由于其具备AEC-Q101认证,特别适合部署在发动机舱外的电子控制单元中。其他潜在应用还包括医疗电子设备、通信模块和智能家居控制器等对空间和可靠性均有要求的场景。
MMSZ5243B-T\nPMSZ5243B-HE3_A/H