类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：4.3V（在Iz = 20μA条件下）
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　最大反向漏电流：1μA（在VR = 1V时）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　测试电流（Iz）：20μA
　　动态阻抗（Zzt）：75Ω（最大值，典型频率1MHz）
　　温度系数：+7mV/°C（典型值，接近零温度系数点优化）

UMMSZ5221B作为一款高性能表面贴装齐纳二极管，具备多项关键电气与物理特性，确保其在多种应用场景中的可靠性与稳定性。
　　首先，该器件采用了先进的硅半导体工艺制造，确保了齐纳击穿机制的精确控制，从而实现标称4.3V的稳定输出电压。其±5%的电压容差保证了批次间的一致性，有助于提升系统设计的可预测性与良率。在小信号稳压或基准电压源应用中，这种精度尤为重要，特别是在模拟电路、ADC/DAC偏置电路或电源监控模块中。
　　其次，SOD-323封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），而且具有良好的热传导性能，能够在有限的空间内有效散热。尽管额定功率为200mW，但在适当的PCB布局和铜箔散热设计下，仍可满足大多数低功耗稳压需求。此外，该封装形式支持自动化贴片生产，提升了制造效率并降低了组装成本。
　　再者，UMMSZ5221B具有较低的动态阻抗（Zzt ≤ 75Ω），这意味着当负载电流发生微小变化时，输出电压的变化极小，从而提高了电压调节的线性度和响应速度。这一特性对于噪声敏感的应用场景尤为关键，例如音频放大器偏置电路或传感器信号调理电路。
　　另外，该器件的工作温度范围宽达-65°C至+150°C，表明其可在极端高低温环境下正常工作，适用于工业级甚至部分汽车电子应用。其温度系数经过优化，接近零温度系数点，减少了因环境温度波动引起的电压漂移问题。
　　最后，UMMSZ5221B符合国际环保标准，不含铅、镉等有害物质，支持绿色电子产品的设计需求。其结构设计也增强了机械强度，能承受多次热循环而不易开裂，提升了产品寿命和现场可靠性。

UMMSZ5221B因其小型化、高精度和良好稳定性，被广泛应用于多个电子领域。
　　在便携式消费电子产品中，如智能手机、蓝牙耳机、智能手表等，常用于为低电压逻辑电路提供参考电压或进行ESD保护箝位。由于这些设备对空间极为敏感，SOD-323封装的优势得以充分发挥。
　　在电源管理电路中，该器件可用于LDO（低压差稳压器）的反馈网络中作为分压参考，或在开关电源启动电路中提供初始偏置电压。虽然不能承担大电流稳压任务，但其精准的电压特性使其成为辅助电源轨校准的理想元件。
　　在信号处理系统中，UMMSZ5221B可用于偏置设置、电平转换或过压保护。例如，在运算放大器输入端添加该齐纳管可防止输入信号超出安全范围，从而保护后续电路不受损坏。
　　此外，在工业传感系统中，该器件可用于传感器激励电压的微调或补偿电路中的电压基准源，尤其适用于需要长期稳定性的测量仪器。
　　在嵌入式控制系统中，如MCU复位电路或电压监测单元中，UMMSZ5221B可配合比较器使用，构成简单的上电复位（POR）功能，确保系统在电压建立完成后才开始运行。
　　由于其符合AEC-Q101应力测试标准的部分等级要求（视具体制造商而定），该器件也可用于非关键车载电子应用，如车内照明控制、信息娱乐系统接口保护等。

MMSZ5221B-7-F
　　PMZ4.3V,115
　　BZT52C4V3
　　SZMM3Z4V3T1G
　　ZMM4.3