型号：UML2NTR
　　制造商：Micro Commercial Components (MCC)
　　器件类型：双N沟道MOSFET阵列
　　封装形式：SOT-363 (SC-88)
　　通道数：2
　　每通道最大漏源电压(VDSS)：20V
　　每通道最大栅源电压(VGSS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)，每通道：170mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流(IDM)，每通道：680mA
　　导通电阻(RDS(on))：≤ 2.8Ω @ VGS = 4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：≤ 3.5Ω @ VGS = 2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：≤ 4.5Ω @ VGS = 1.8V
　　阈值电压(VGS(th))：0.45V ~ 1.0V
　　栅极电荷(Qg)：典型值 0.4nC @ VDS=10V, VGS=4.5V
　　输入电容(Ciss)：典型值 15pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　工作结温范围(TJ)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C

UML2NTR的首要特性在于其高度集成的双N沟道MOSFET结构，能够在极小的SOT-363封装内实现两个独立且性能一致的场效应管功能，极大提升了单位面积内的电路集成密度。这种设计特别适用于空间受限的应用场景，如移动通信设备中的负载开关、电源路径管理或信号路由控制。每个MOSFET都经过优化，可在低至1.8V的栅极驱动电压下可靠导通，使其完美兼容现代低电压数字逻辑输出（如GPIO引脚），无需额外电平转换电路即可直接驱动，从而简化系统设计并降低整体成本。
　　其次，UML2NTR具备出色的导通电阻表现，在VGS=4.5V条件下RDS(on)不超过2.8Ω，而在更低的VGS=2.5V时仍能保持在3.5Ω以下，这保证了在轻载或中等负载条件下的低功率损耗，提高了系统的能源效率。此外，其较低的栅极电荷（Qg ≈ 0.4nC）和输入电容（Ciss ≈ 15pF）显著减少了开关过程中的动态损耗，支持高频开关操作，适用于高速信号切换应用，例如音频通道选择或多路数据总线控制。
　　热稳定性方面，UML2NTR的工作结温可达+150°C，具备良好的热耐受能力，结合小型但高效的散热设计，可在紧凑环境中长期稳定运行。器件还具有内置的体二极管，可用于反向电流保护或续流路径构建。所有参数均在严格的质量控制流程下测试验证，确保批次一致性与长期可靠性，满足AEC-Q101标准的部分要求，适合工业级和消费级应用需求。

UML2NTR广泛应用于各类低功耗、小型化电子系统中，尤其适合需要高效开关控制和空间优化的设计场景。常见用途包括便携式设备中的电源管理开关，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同模块（如摄像头、传感器、显示屏背光）的供电通断，以实现节能待机或动态电源分配。其低VGS(th)和低RDS(on)特性使其非常适合由微控制器GPIO直接驱动的应用，无需额外驱动电路，简化了硬件设计。
　　在信号路由与多路复用领域，UML2NTR可用于模拟或数字信号的选择与隔离，例如在音频系统中切换耳机与扬声器输出，或在I2C、SPI等通信总线上进行总线扩展与冲突避免。由于其快速开关响应和低导通损耗，也常被用作电平移位电路中的主动元件，实现不同电压域之间的安全连接。
　　此外，该器件还可用于电池供电设备中的负载开关，防止待机电流泄漏，延长电池寿命；也可作为LED驱动中的开关元件，实现亮度调节或分组控制。在物联网终端、智能穿戴设备、无线传感器节点等对尺寸和能耗极为敏感的产品中，UML2NTR凭借其微型封装和低功耗特性成为理想的MOSFET解决方案。同时，因其符合RoHS和无卤素要求，适用于全球市场的绿色环保产品设计。