制造商：United Monolithic Semiconductors (UMS)
　　产品类型：射频放大器 - 低噪声放大器 (LNA)
　　技术工艺：GaAs E-pHEMT
　　工作频率范围：DC ~ 18 GHz
　　小信号增益：约 14.5 dB @ 6 GHz
　　噪声系数：约 1.2 dB @ 6 GHz
　　输入三阶交调截点（IIP3）：典型值 +10 dBm
　　输出三阶交调截点（OIP3）：典型值 +24.5 dBm
　　工作电压（Vdd）：+3 V
　　静态工作电流（Idq）：典型值 35 mA
　　输入回波损耗（S11）：<-10 dB（典型）
　　输出回波损耗（S22）：<-10 dB（典型）
　　封装类型：DFN-6（双侧引脚）
　　尺寸：2 mm x 2 mm x 0.75 mm
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

UML2502-AE3-R采用先进的GaAs增强型伪高电子迁移率晶体管（E-pHEMT）工艺，具备卓越的高频性能与低功耗特性。其核心优势在于在整个宽频带内实现了极低的噪声系数和高增益稳定性，能够在高达18 GHz的频率下维持低于1.5 dB的典型噪声系数，这对于接收链路中的第一级放大至关重要，有助于提升系统的整体信噪比和接收灵敏度。该器件的小信号增益在6 GHz时可达14.5 dB，并在整个工作频段内保持平坦响应，减少了后续滤波或均衡电路的需求。
　　其线性性能同样出色，典型输入三阶交调截点（IIP3）达到+10 dBm，在高动态范围应用中可有效抑制非线性失真，避免邻道干扰和互调产物的产生。这使得UML2502-AE3-R不仅适用于弱信号放大，也能在中等功率条件下可靠运行。器件的输入和输出端口均经过片上阻抗匹配优化，典型S11和S22均优于-10 dB，降低了对外部匹配网络的依赖，缩短了开发周期并提高了生产一致性。
　　UML2502-AE3-R采用2 mm × 2 mm的DFN-6小型化封装，支持回流焊工艺，非常适合高密度毫米波PCB布局。该封装具有良好的散热性能和高频寄生参数控制，确保在高频工作下的稳定性。器件工作电压为3 V，静态电流仅为35 mA左右，实现了高性能与低功耗之间的良好平衡，适用于便携式或远程部署的射频系统。此外，其宽达-55°C至+125°C的工作温度范围使其能够适应极端环境，如航空航天、军事雷达和户外通信基站等应用场景。
　　该芯片内置一定程度的ESD保护机制，但作为GaAs器件仍属于静电敏感元件，建议在使用过程中采取适当的防静电措施。由于其宽带特性，UML2502-AE3-R可用于多频段系统设计，减少物料种类和库存压力。整体而言，这款LNA代表了当前GaAs HEMT技术在宽带低噪声放大领域的先进水平，是高性能射频前端设计的关键组件之一。

UML2502-AE3-R凭借其宽带宽、低噪声和高增益特性，广泛应用于多种高性能射频和微波系统中。主要应用领域包括X波段和Ku波段雷达接收机前端，其中对微弱回波信号的精确放大至关重要，该器件能显著提升目标检测能力和距离分辨率。在卫星通信系统中，特别是在地球站和低轨卫星终端中，UML2502-AE3-R被用作低噪声下变频级前级放大器，以确保下行链路信号在混频前获得足够的信噪比。
　　在测试与测量仪器方面，如频谱分析仪、矢量网络分析仪和信号发生器中，该芯片用于构建高保真射频通道，保障测量精度和动态范围。其宽频带特性也使其适用于宽带电子战（EW）系统和信号情报（SIGINT）接收机，支持对未知或跳频信号的实时捕获与处理。
　　此外，UML2502-AE3-R可用于点对点微波通信链路、毫米波成像系统以及5G毫米波研发平台中的射频模块设计。在科研领域，如射电天文接收机和量子计算控制系统中，也需要此类超低噪声放大器来处理极其微弱的高频信号。由于其小型化封装和表面贴装特性，该器件特别适合集成于紧凑型模块化射频前端（RF FEM）或MMIC混合集成系统中，满足现代通信设备对小型化、轻量化和高性能的综合需求。

Qorvo QPL9057
　　Analog Devices HMC663LC5TR
　　NXP BFU760F, BFU780F
　　Infineon BGA286x