类型：双向TVS二极管
　　峰值脉冲功率：100W
　　反向工作电压（VRWM）：5V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4V，最大7.8V
　　钳位电压（VC）：最大10V（在IPP=1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：10A
　　漏电流（IR）：最大1μA
　　电容值（Cj）：典型值为90pF（在0V偏置下）
　　引线温度（TL）：260°C（距离本体1.6mm处，10秒）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C

UML1V100MDD1TD具备优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应高达10A的峰值脉冲电流，并将电压钳制在安全范围内，从而有效防止下游电路因过压而损坏。其双向结构使其适用于交流信号线路或可能出现正负极性瞬变的直流电路中，无需考虑极性连接问题，简化了PCB布局与装配流程。该器件采用了先进的硅结技术，确保了稳定的击穿电压特性和较低的动态电阻，从而实现高效的能量耗散。此外，UML1V100MDD1TD具有非常低的待机电流消耗，典型漏电流小于1μA，在电池供电设备中不会造成显著的功耗负担，有助于延长设备续航时间。
　　该TVS二极管的寄生电容典型值为90pF，在高频信号路径中表现出良好的信号完整性，适合用于USB、RS-232、GPIO等中低速数据接口的ESD保护。尽管其电容相对较高，不适用于超高速差分信号如USB 3.0或HDMI，但在大多数通用I/O和电源轨保护应用中仍能胜任。SOD-123W封装不仅节省空间，而且具备良好的热传导性能，能够在多次浪涌冲击后保持稳定性能。该器件符合RoHS指令要求，并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等国际标准测试，证明其在抗静电放电、电快速瞬变脉冲群和雷击浪涌方面的可靠性。这些特性使UML1V100MDD1TD成为工业、消费电子和汽车辅助系统中理想的电路保护解决方案。

UML1V100MDD1TD常用于各类需要瞬态电压保护的电子系统中，尤其是在便携式设备和嵌入式控制系统中发挥重要作用。它广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的按钮、开关和I/O端口保护，以抵御用户操作过程中可能引入的静电放电。在通信接口方面，该器件可用于保护UART、I2C、SPI、RS-232等串行通信线路，防止由于电缆插拔或外部干扰引发的电压突波。此外，该TVS二极管也适用于传感器信号调理电路的前端保护，特别是在工业自动化环境中暴露于电磁干扰较强的场合。
　　在电源管理领域，UML1V100MDD1TD可用于5V电源轨的次级侧保护，防止来自负载切换或电源异常导致的反向能量回馈。其双通道设计允许单个器件同时保护两个独立的信号线，减少了元件数量和PCB面积占用，特别适合高密度布局的设计需求。在汽车电子中，虽然该器件不属于AEC-Q101认证产品，但仍可用于非关键性的车载附件电路，如车内照明控制、USB充电端口或诊断接口的ESD防护。此外，医疗设备、智能家居控制器和物联网终端设备也普遍采用此类TVS二极管来提升系统的整体鲁棒性和电磁兼容性。其紧凑的外形和可靠的性能使其成为工程师在进行EMI/ESD防护设计时的重要选择之一。

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　　 "SMBJ5.0A",
　　 "P6KE5.0A",
　　 "TPD1E10B05",
　　 "SP3S05"
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