类型：PIN二极管
　　最大反向电压：70 V
　　最大平均整流电流：10 mA
　　最大峰值脉冲电流：500 mA
　　正向电压（VF）：1.1 V @ 10 mA
　　反向恢复时间（trr）：≤ 1 ns
　　结电容（Cj）：0.4 pF @ 1 MHz, 1 V
　　热阻（RθJA）：350 °C/W
　　工作结温范围：-55 °C 至 +150 °C
　　封装类型：SOD-323

UML1N的核心特性之一是其优异的高频响应能力，这主要得益于其低结电容（典型值仅为0.4 pF）和平面PIN结构设计。这种低电容特性使其在GHz级别的射频信号路径中表现出极小的插入损耗和信号衰减，非常适合作为高频开关或调谐元件使用。同时，其快速的反向恢复时间（不超过1纳秒）保证了在高速切换应用中的高效性能，避免了因载流子存储效应引起的延迟问题，从而提升了系统的动态响应能力。这一特点对于现代通信系统中需要频繁进行天线匹配或频段切换的应用尤为重要。
　　另一个显著优势是其高线性度和低互调失真（IMD），即使在大信号环境下也能维持良好的信号保真度。这是因为在正向偏置状态下，I层能够均匀分布电场并有效控制载流子浓度，减少了非线性效应的发生。因此，UML1N非常适合用于对信号质量要求极高的场景，例如蜂窝基站前端模块、软件定义无线电（SDR）以及雷达系统中的可变衰减器电路。此外，该器件在零偏压或反向偏压下的电容变化较小，具备较好的电压稳定性，有利于实现精确的调谐控制。
　　从可靠性角度看，UML1N采用了坚固的硅基工艺和气密性良好的封装技术，能够在恶劣的温度与湿度环境中长期稳定运行。其宽广的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常规消费类电子产品，也可部署于高温工业环境或车载电子系统中。再加上其高达70V的最大反向电压额定值，提供了足够的安全裕度，防止瞬态电压冲击导致器件损坏。综合来看，UML1N凭借其小型化封装、高性能指标和高可靠性的特点，成为众多射频工程师在设计紧凑型高频电路时的首选PIN二极管之一。

UML1N广泛应用于各类射频与微波电子系统中，尤其是在需要高性能开关、调谐和衰减功能的场合。一个典型的应用是在移动通信设备中作为天线调谐开关，用于动态调整天线阻抗以适应不同频段的操作需求，从而提升发射效率和接收灵敏度。它也被集成到多模多频手机的前端模块中，配合功率放大器和滤波器完成频段选择与信号路由。此外，在无线基础设施方面，UML1N可用于基站收发信机内的射频开关矩阵，实现天线分集、双工器旁路或故障隔离等功能，提高系统灵活性与可用性。
　　在测试与测量仪器领域，该二极管常被用作自动增益控制（AGC）电路中的可变衰减器单元，利用其在正向电流调控下电阻值的变化来调节信号强度。由于其低失真和高线性度特性，能够确保测试信号的完整性，适用于矢量网络分析仪、频谱仪等高精度设备。另外，UML1N还可用于保护敏感的射频输入级，作为限幅器的一部分，在强干扰信号出现时迅速导通并将能量泄放到地，防止后级低噪声放大器（LNA）受损。
　　在物联网（IoT）和短距离无线通信系统（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）中，UML1N因其小型封装和低功耗特性而受到青睐，可用于构建紧凑型射频前端开关，优化天线切换逻辑或实现双天线分集接收。此外，在汽车雷达、远程无钥匙进入系统（RKE）以及胎压监测系统（TPMS）等车载应用中，UML1N也展现出良好的环境适应性和长期稳定性，满足车规级电子组件的要求。总之，其多功能性和广泛兼容性使其成为现代射频设计中不可或缺的基础元件之一。

UMH1N
　　UMK1N
　　BAS70-04