电容值：1.0μF
　　额定电压：25V
　　电容公差：±5%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　工作温度范围：-55°C ~ +85°C
　　直流偏压特性：在25V下电容值下降约30%~50%（典型值）
　　封装尺寸：3.2mm × 2.5mm（1210 inch）
　　厚度：约2.5mm
　　端电极结构：Ni/Sn三层电极（适合SMT贴装）
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·F（取较小值）
　　损耗因数（tanδ）：≤2.5%
　　老化率：≤2.5% / decade
　　包装形式：编带（Taping）

UMK325BJ105MHHT采用X5R型铁电陶瓷介质，具有良好的温度稳定性和较高的体积效率，能够在-55°C至+85°C的宽温范围内保持电容值变化不超过±15%，这使其适用于对温度波动敏感的应用环境。相较于Z5U或Y5V等介电材料，X5R介质在温度稳定性与可用电容密度之间实现了良好平衡。
　　该电容器的额定电压为25V，适用于中低压电源轨的去耦与滤波应用，例如在DC-DC转换器输出端平滑电压纹波。然而需注意的是，由于X5R材料具有明显的直流偏压效应，在接近额定电压时实际有效电容会显著下降，因此在电路设计中应参考具体偏压曲线进行降额使用，以确保足够的有效电容。
　　其1210（3.2×2.5mm）封装形式在表面贴装技术（SMT）中广泛应用，提供了比小型封装更大的机械强度和更好的散热性能，同时仍能适应较高集成度的PCB布局需求。三层电极结构（Inner Electrode - Ni Barrier Layer - Outer Electrode Sn）增强了抗硫化能力，提高了在恶劣环境下的长期可靠性，尤其适合工业和汽车电子应用。
　　此外，该器件具备优良的高频响应特性，尽管其等效串联电感（ESL）高于更小封装的MLCC，但在多数中频去耦场景下仍能满足需求。配合低等效串联电阻（ESR），可有效抑制电源噪声并提升系统稳定性。村田严格的制造工艺保证了产品的一致性与良品率，使得UMK325BJ105MHHT成为许多OEM厂商首选的标准化元件之一。
　　该型号支持无铅回流焊接工艺，兼容JEDEC Level标准，可在标准SMT产线中稳定加工，无需特殊工艺调整。整体而言，UMK325BJ105MHHT是一款兼顾性能、可靠性和可制造性的通用型MLCC，特别适用于需要在有限空间内实现微法级电容值的设计场景。

UMK325BJ105MHHT常用于各类电子系统的电源管理模块中，作为DC-DC转换器、LDO稳压器的输入/输出滤波电容，有效降低电源线上的电压纹波和瞬态干扰，提高供电质量。在数字电路中，它可用于高性能处理器、FPGA、ASIC等芯片的电源引脚去耦，吸收高频开关电流引起的噪声，防止地弹和电源塌陷问题。
　　在通信设备如路由器、交换机和基站模块中，该电容器用于模拟前端和射频部分的偏置网络滤波，确保信号链路的稳定性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、电视和音频设备也大量采用此类电容，用于内部电源轨解耦和音频信号路径的交流耦合。
　　工业控制领域中，该器件可用于PLC、传感器接口电路和电机驱动控制器，提供抗干扰能力和运行稳定性。由于其具备一定的温度和湿度耐受性，也可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等非引擎舱汽车电子应用（需结合整体认证情况判断是否符合AEC-Q200标准）。
　　此外，在医疗仪器、测试测量设备和电源适配器中，UMK325BJ105MHHT凭借其高可靠性和一致性，成为保障设备长期稳定运行的关键被动元件之一。其广泛的应用覆盖了从民用到工业级的各种场景，体现了其作为通用型MLCC的重要地位。

GRM325R61E105KA12D
　　C3216X5R1E105K160AC
　　CL31A106KOHRNPQ
　　EMK325BJ105KL