UMK105CH431JVHF是一种基于氮化镓(GaN)技术的高频功率晶体管,主要用于射频和微波应用。该器件采用先进的封装技术,能够提供卓越的性能表现,尤其是在高频和高功率场景下。它具有低寄生电感、高效率以及宽禁带半导体材料所带来的诸多优势。
该晶体管适用于无线通信基站、雷达系统、卫星通信以及其他需要高频率和高功率输出的应用场合。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
工作频率范围:DC-43GHz
最大输出功率:50W
增益:15dB
电源电压:28V
工作温度范围:-55℃至+125℃
封装形式:陶瓷金属密封封装
导通电阻:0.1Ω
最大漏电流:1mA
封装尺寸:20x20mm
UMK105CH431JVHF晶体管利用了氮化镓(GaN)材料的优势,具备以下特点:
1. 高效的能量转换能力,在高频条件下仍能保持较高的功率附加效率(PAE)。
2. 低热阻设计,可有效提升散热性能,确保长期稳定运行。
3. 支持高达43GHz的工作频率,满足现代通信设备对高频段的需求。
4. 宽禁带材料带来的高击穿电压特性,使器件在高功率应用中更加可靠。
5. 封装采用气密性设计,能够在恶劣环境下保持良好的电气性能。
6. 输出功率大,适合于多种大功率射频应用场景。
UMK105CH431JVHF主要应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 军事及民用雷达系统中的信号发射部分。
3. 卫星通信设备中的上变频器与下变频器电路。
4. 医疗成像设备如超声波和核磁共振中的高频驱动电路。
5. 工业加热设备中的高频电源模块。
6. 测试测量仪器组件。
UMK105CH432JVFH, UMK106CH431JVGF