时间:2025/12/27 10:36:47
阅读:56
UMK105CG8R2DV-F是一款由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于小型化、高可靠性的表面贴装电容器,广泛应用于各类电子设备中。这款电容器采用0402(1.0mm x 0.5mm)的封装尺寸,符合EIA标准,适用于对空间要求极为严格的便携式电子产品。其额定电容值为0.82pF,公差为±0.05pF,属于C0G(NP0)介质材料类别,具有极高的温度稳定性和电气稳定性。C0G材质的电容器在宽温度范围内(通常为-55°C至+125°C)能够保持几乎恒定的电容值,且无直流偏压效应,因此特别适合用于高频、射频和精密模拟电路中。
该产品采用倒角端子结构设计,有助于减少因机械应力或热应力引起的裂纹风险,从而提升焊接可靠性和长期使用稳定性。此外,UMK105CG8R2DV-F符合RoHS指令要求,不含铅和其他有害物质,支持无铅回流焊工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。由于其优异的高频特性和低损耗性能,该电容器常被用作匹配网络、滤波器、振荡器和谐振电路中的关键元件。
型号:UMK105CG8R2DV-F
制造商:Murata
产品类型:陶瓷电容器
电容:0.82pF
容差:±0.05pF
电压额定值:50V
温度系数/介质材料:C0G (NP0)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
封装/外壳:0402(1.0mm x 0.5mm)
端接类型:镍/锡镀层
安装类型:表面贴装(SMD)
数量每包:10000
包装类型:卷带包装
介质特性:Class I
耗散因子(DF):≤0.1%
绝缘电阻:≥100GΩ 或 1000Ω·F
老化率:0%/decade
抗弯强度:符合IEC 60068-2-21标准
UMK105CG8R2DV-F所采用的C0G(NP0)介质材料是Class I类陶瓷电容器的代表,具备出色的电气稳定性与温度不变性。其电容值在额定温度范围内变化极小,典型值为±30ppm/°C以内,确保了在不同环境条件下电路参数的一致性。这种稳定性使其成为高频射频电路、基准振荡器、锁相环(PLL)、压控振荡器(VCO)以及高Q值滤波器的理想选择。由于没有铁电材料的存在,C0G电容器不存在电压依赖性电容下降的问题,即不会随着施加电压的增加而显著降低有效电容,这在功率放大器输出匹配和天线调谐应用中至关重要。
该器件的小型化0402封装使其能够在高度集成的PCB布局中节省宝贵的空间,同时仍保持良好的焊接可靠性和自动化贴片兼容性。倒角端子设计减少了在PCB弯曲或热循环过程中产生微裂纹的风险,提升了整体可靠性。其低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)特性进一步增强了在GHz频段下的高频响应能力,使信号传输更加高效稳定。此外,该电容器具有极低的介电吸收和非磁性特点,适用于高精度采样保持电路和敏感模拟前端设计。
Murata作为全球领先的被动元器件供应商,对该系列产品实施严格的质量控制和可靠性测试,包括高温储存、温度循环、耐湿性测试等,确保产品在各种严苛环境下均能稳定运行。该型号还通过了AEC-Q200认证的可能性较高,适用于汽车电子应用领域。综合来看,UMK105CG8R2DV-F是一款兼具高性能、高可靠性和小型化的高端陶瓷电容器,适用于对稳定性要求极高的应用场景。
该电容器广泛应用于无线通信设备中的射频前端模块,如智能手机、Wi-Fi模块、蓝牙模块和蜂窝物联网设备,主要用于LC谐振电路、阻抗匹配网络和高频旁路。在基站和射频收发器中,它用于本振电路和滤波器设计,以维持频率稳定性。此外,在测试测量仪器如示波器、频谱分析仪和信号发生器中,该电容器用于精密模拟信号路径中,确保信号完整性。其高稳定性也使其适用于医疗电子设备、航空航天电子系统以及工业控制系统中的关键模拟电路部分。在汽车电子中,可用于车载信息娱乐系统、高级驾驶辅助系统(ADAS)雷达模块以及车身控制单元中的定时电路。
CC0402JRX7RNP9B820