UMK105CG680JVHF是一款高性能的功率MOSFET器件,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载切换等场景。该芯片具有低导通电阻和高效率的特点,能够有效降低功耗并提升系统性能。
该型号属于N沟道增强型MOSFET,采用TO-220封装形式,便于散热管理与电路布局设计。
最大漏源电压:680V
连续漏极电流:5A
导通电阻(典型值):1.3Ω
栅极电荷:25nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃至+175℃
UMK105CG680JVHF具备出色的耐压能力,最高可承受680V的漏源电压,适用于高压环境下的各种应用。
其导通电阻较低,在高电流条件下能够减少功率损耗,从而提高整体效率。
同时,该芯片的栅极电荷较小,有助于实现更快的开关速度,并降低开关损耗。
此外,宽泛的工作温度范围确保了器件在极端条件下的稳定性和可靠性。
封装形式为标准TO-220,易于安装且散热性能良好。
这款功率MOSFET适合多种工业和消费类电子应用,包括但不限于开关电源适配器、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机控制模块以及汽车电子系统中的负载切换功能。
由于其高压特性,也常用于电力传输设备和家电产品中需要高效能量转换的场合。
UMK105CG680JTHF, IRF840, STP50NF06