制造商：Murata
　　产品系列：G
　　电容：1.8pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V
　　温度特性：C0G (NP0)
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　封装/外壳：0402（1005公制）
　　介质材料：Ceramic
　　应用等级：Industrial, Automotive (AEC-Q200)
　　端接类型：SMD
　　层数：Multi-Layer
　　包装类型：Tape and Reel
　　电介质特性：Class I
　　老化率：0% per decade
　　绝缘电阻：≥10000 MΩ or 500 MΩ·μF
　　耗散因数（DF）：≤0.1%
　　等效串联电阻（ESR）：Low (typical < 100 mΩ)
　　自谐振频率（SRF）：Typically > 5 GHz
　　电容温度系数：0 ±30 ppm/°C

UMK105CG1R8CW-F采用C0G（也称NP0）一类陶瓷介质，具有极其优异的电性能稳定性。这种介质材料在整个工作温度范围内（-55°C至+125°C）的电容变化不超过±30ppm/°C，几乎不随温度、电压或时间发生漂移，因此非常适合对频率稳定性要求极高的射频电路应用，如压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）、滤波器和阻抗匹配网络。相较于X7R或Y5V等二类陶瓷电容器，C0G材料不具备高介电常数带来的大容量优势，但其线性响应和低失真特性使其成为精密模拟和高频信号处理领域的首选。
　　该器件具备非常低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于减少高频下的能量损耗并提升Q值，从而增强谐振电路的选择性和效率。在GHz级别的无线通信系统中（例如Wi-Fi、蓝牙、5G前端模块），这类小容量、高性能电容常用于LC调谐回路中，以精确控制信号频率。同时，由于其容值公差高达±0.1pF，能够实现精细的电容匹配，避免因元件偏差导致的性能下降。
　　Murata的UMK系列专为高可靠性和微型化设计，在制造过程中采用先进的叠层工艺和严格的品控流程，确保每颗电容的一致性与长期稳定性。该器件还具备出色的抗机械应力能力，减少了因PCB弯曲或热胀冷缩引起的开裂风险。此外，其端电极为三层电极结构（Inner Electrode: Ni, Outer Electrode: Cu/Sn），增强了焊接可靠性，并兼容无铅回流焊工艺，符合RoHS环保标准。整体而言，UMK105CG1R8CW-F是一款面向高端射频和高频模拟应用的高性能MLCC，兼顾小型化、稳定性与可制造性。

该电容器主要应用于需要高频率稳定性和低损耗特性的电子电路中。典型使用场景包括智能手机、平板电脑、无线模块中的射频前端电路，如天线匹配网络、功率放大器偏置电路、低噪声放大器输入输出匹配以及参考振荡器旁路。在这些高频系统中，微小的电容偏差可能导致严重的信号反射或频率偏移，因此必须选用像UMK105CG1R8CW-F这样具有精密容差和C0G特性的电容器。
　　此外，该器件也广泛用于各种通信基础设施设备，如基站收发信机、光模块、路由器和交换机中的高速信号通道去耦与滤波。在测试测量仪器领域，例如示波器、频谱分析仪和信号发生器中，该电容被用于构建高精度RC定时电路或滤波网络，确保测量结果的准确性。汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q200认证，可应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块（如毫米波雷达）以及车身控制单元中的时钟电路。
　　在工业控制系统中，该电容可用于PLC、传感器接口电路和高频电源管理模块中，提供稳定的去耦和滤波功能。由于其小型化封装，特别适合空间受限的便携式医疗设备、可穿戴设备和物联网终端节点。总而言之，凡是要求高频性能、温度稳定性、长期可靠性的场合，UMK105CG1R8CW-F都是理想选择。

GRM1555C1H1R8CA01D
　　CC0402JRNPO9BN1R8
　　GCM1555C1H1R8CA01D
　　CL05A1R8CAZNNNC
　　DF06CI1R8CS