UMK105CG121JVHF 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高性能功率晶体管,适用于高频和高效率的电力转换应用。该器件采用增强型场效应晶体管(eGaN FET)设计,能够显著降低开关损耗并提高功率密度。其封装形式为表面贴装,便于自动化生产和散热管理。
该器件广泛用于工业电源、通信基站、服务器电源和新能源汽车等领域,尤其适合需要高频工作的场景,例如 LLC 谐振转换器、图腾柱 PFC 和 DC-DC 转换器。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:120A
导通电阻:12mΩ
栅极电荷:90nC
输入电容:1800pF
输出电容:1200pF
反向恢复时间:<10ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
UMK105CG121JVHF 的主要特点是其低导通电阻和快速开关性能,使得在高频工作条件下仍能保持较低的传导和开关损耗。此外,该器件具有良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下长时间运行。
由于采用了 GaN 技术,其寄生电感和电容极小,从而大幅降低了开关过程中的振荡和噪声。同时,其紧凑的封装形式也使其非常适合空间受限的应用场景。
GaN 器件还具备更高的击穿电压能力,这使得 UMK105CG121JVHF 可以在更高电压下安全运行,并且拥有更宽的安全工作区(SOA)。此外,其优异的动态性能可进一步提升系统的整体效率和响应速度。
UMK105CG121JVHF 适用于各种高频高效功率转换场景,包括但不限于以下领域:
1. 数据中心和通信基站的高效电源模块
2. 新能源汽车的车载充电器(OBC)和 DC-DC 转换器
3. 太阳能逆变器及储能系统中的功率转换环节
4. 工业设备中的高频焊机和感应加热装置
5. 消费类电子产品的快充适配器
6. 高效谐振转换器(如 LLC 和相移全桥拓扑)
UMK105CG120JVFH, UMK105CG122JXHF