时间：2025/6/28 13:53:01
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UMK063CH560JT-F 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和直流-直流转换器等应用。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，从而提高了效率并降低了功耗。
这款器件属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高电流和高频应用场景，其封装形式为表面贴装类型，便于自动化生产和散热管理。
型号：UMK063CH560JT-F
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：0.45Ω
总功耗(Ptot)：280W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263-3
UMK063CH560JT-F 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压可达 650V，适合高压环境下的使用。
2. 极低的导通电阻（Rds(on) 仅为 0.45Ω），能够有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能，支持高频操作，有助于提高系统效率。
4. 宽泛的工作温度范围（-55℃ 至 +175℃），能够在极端环境下保持稳定运行。
5. 表面贴装封装设计，便于现代化生产流程，并具有良好的散热性能。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
该元器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，如适配器、充电器等。
2. 电机驱动电路，用于控制各种类型的电机。
3. 直流-直流转换器，提供高效的电压转换功能。
4. 逆变器和不间断电源 (UPS) 系统。
5. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
6. LED 驱动器和其他需要高效功率切换的应用场景。
UMK063CH560JL-F, UMK063CH560JP-F
