UMK063CG9R9DTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。该芯片采用了先进的制程工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等优点,适合在高频开关条件下使用。
该器件封装形式紧凑,具备出色的散热性能,同时支持表面贴装技术(SMT),能够满足现代电子产品对小型化和高效能的需求。
型号:UMK063CG9R9DTHF
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):4.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):90A
Qg(栅极电荷):25nC
fsw(最大工作频率):1MHz
封装形式:TO-263 (D2PAK)
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效降低传导损耗,提升效率。
2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
3. 高雪崩耐量能力,增强系统的可靠性和抗干扰性能。
4. 紧凑型封装设计,节省PCB空间并优化热管理。
5. 支持大电流输出,适用于高功率密度应用。
6. 宽广的工作温度范围,适应恶劣环境条件。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电机驱动电路中的半桥或全桥配置。
4. 负载开关和保护电路中的关键元件。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的电源管理和电机驱动部分。
IRF7739, AO3400A, FDP5800