型号：UMK063CG8R3DTHF
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　Vds (漏源极击穿电压)：650V
　　Rds(on) (导通电阻，典型值)：150mΩ
　　Id (连续漏极电流)：6.4A
　　Qg (总栅极电荷)：28nC
　　Vgs(th) (栅源开启电压)：3V 至 6V
　　f (工作频率)：最高支持到 1MHz
　　Tj (结温范围)：-55°C 至 +175°C
　　封装：TO-252（DPAK）

UMK063CG8R3DTHF 提供了低导通电阻和快速开关能力，非常适合需要高效能功率管理的应用场景。其主要特性包括：
　　1. 高耐压：650V 的额定电压使其能够应用于高压电路环境。
　　2. 快速开关速度：得益于低 Qg 和优化的栅极驱动特性，可以实现高频操作。
　　3. 良好的热性能：通过 TO-252 封装，确保了器件在高负载条件下的稳定性。
　　4. 高可靠性：经过严格的测试和筛选，确保在各种恶劣条件下可靠工作。
　　5. 宽工作温度范围：支持从 -55°C 到 +175°C 的结温范围，满足工业及汽车级要求。

这款 MOSFET 主要用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)：如适配器、充电器等。
　　2. DC-DC 转换器：在汽车电子系统或工业控制设备中作为主开关管使用。
　　3. 电机驱动：为小型直流电机提供高效的驱动方案。
　　4. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力转换装置。
　　5. PFC (功率因数校正)：提升电源效率并减少谐波失真。
　　6. 保护电路：用作过流保护或负载切换元件。

UMK063CG8R3DTKF, IRF640N, STP65NF06L