时间：2025/7/2 11:11:36
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UMK063CG5R9DTHF 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和逆变器等领域。该型号具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），具备出色的散热性能，并且通过优化的结构设计减少了寄生电感对高频开关的影响。
型号：UMK063CG5R9DTHF
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：60V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（持续漏极电流）：80A
Qg（栅极电荷）：45nC
fsw（最大工作频率）：1MHz
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装：TO-263 (D2PAK)
这款 MOSFET 的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗，从而提高整体效率。
此外，其快速开关能力使其非常适合高频开关应用，如 DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
内置的反向恢复二极管进一步增强了其在同步整流和续流二极管场景中的表现。
同时，由于采用了先进的制造工艺，该器件具备优异的热特性和可靠性，能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
其封装设计还提供了卓越的散热性能，确保在高功率密度应用中的长期稳定性。
UMK063CG5R9DTHF 广泛用于多种电力电子应用，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 太阳能逆变器
4. 工业自动化设备
5. 汽车电子系统
6. 不间断电源（UPS）
这些应用场景通常需要高效的功率转换和严格的温度管理，而该器件凭借其低损耗和高可靠性恰好满足了这些需求。
UMK063CG5R9DTGF, IRF6658PBF, FDP18N60C
