时间：2025/6/14 19:34:50
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UMK063CG2R5CTHF 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高功率应用设计。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性，能够显著提升效率并降低损耗。
这种 GaN HEMT 器件通常用于电源转换、射频放大器和无线充电等应用中，其封装形式确保了出色的散热性能和电气连接可靠性。
型号：UMK063CG2R5CTHF
类型：GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~4V
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-263-7（表面贴装）
UMK063CG2R5CTHF 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为2.5mΩ，可有效减少传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高达数兆赫兹的工作频率。
3. 内置ESD保护功能，增强器件的鲁棒性。
4. 出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 小型化封装设计，节省电路板空间并提供高效的散热路径。
6. 具有较高的击穿电压（650V），适用于宽范围的高压应用场景。
该器件广泛应用于多种高效率、高性能的电力电子系统中，例如：
1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）级和逆变器。
2. 电动汽车（EV）充电桩的高效功率转换模块。
3. 工业自动化设备中的电机驱动和控制系统。
4. 射频功率放大器，在通信基站和雷达系统中提供高输出功率。
5. 快速充电适配器和无线充电设备，支持更高的功率密度和更短的充电时间。
UMK063CG3R0CTHF, UMK063CG2R8CTHF
