时间：2025/6/21 20:14:23
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UMK063CG111JT-F 是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和快速开关性能之间实现了良好的平衡，广泛适用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。
该型号属于沟道型MOSFET，能够提供出色的电流承载能力和较低的功耗。同时，它具有较高的雪崩击穿能量（EAS）和热稳定性，确保了在恶劣工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：11A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：超高速
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电压支持，适合高压应用场景。
3. 快速的开关特性减少了开关损耗，从而提升了系统性能。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片的鲁棒性。
5. 热阻低，便于散热管理，延长使用寿命。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器及UPS系统
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备中的功率管理模块
6. 电池充电器和其他需要高效功率转换的场景
UMK063CG111JH-F, IRF840, STP11NK65Z
