时间：2025/6/11 14:29:33
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UMK063CG0R9CTHF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效能功率控制的场景。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著降低系统功耗并提升整体效率。
该器件属于 UMOS 系列，其设计优化了栅极电荷和反向恢复特性，从而减少了开关损耗，并在高频应用中表现优异。同时，芯片内部集成了多种保护功能，如过流保护、过温保护等，提升了系统的可靠性和稳定性。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压：650V
最大连续漏电流：14A
导通电阻（典型值）：90mΩ
栅极电荷（Qg）：75nC
反向恢复时间（trr）：85ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
UMK063CG0R9CTHF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少传导损耗。
2. 优化的栅极电荷和开关特性，适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性。
4. 内置 ESD 保护电路，提高了抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 小型封装设计，节省 PCB 布局空间。
这款功率 MOSFET 可用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电动工具和家用电器的电机驱动。
4. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。
5. 工业自动化设备中的负载开关与保护电路。
6. 汽车电子系统中的电池管理与配电单元。
UMK063CG1R4CTHF, UMK065CG0R9DTHF
