UMJ325KB7106MMHP是一款高性能、高精度的功率MOSFET器件,主要用于电源管理、电机驱动和工业控制等应用领域。该芯片采用了先进的制造工艺,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,从而有效提升了系统的效率和可靠性。
该器件采用TO-247封装形式,具备出色的散热性能,并且能够在宽广的工作电压范围内保持稳定运行。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压:1200V
最大栅源电压:±20V
最大连续漏极电流:32A
导通电阻:71mΩ(典型值,@Vgs=10V)
总功耗:350W
工作温度范围:-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻,有助于降低功率损耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,适合高频应用环境。
3. 优秀的热稳定性设计,能够承受极端温度条件。
4. 内置静电防护电路,增强了产品的抗干扰能力。
5. 符合RoHS标准,环保无铅材料使用。
6. 高可靠性和长寿命设计,适用于工业级应用需求。
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 电动汽车牵引逆变器
5. 工业自动化设备中的功率控制模块
6. 不间断电源(UPS)系统
7. 高压大电流转换电路
IRFP260N
FDP17N12
STP32NM12W
IXTH32N120P