电容值：4.7μF
　　额定电压：25V
　　电容容差：±10%
　　温度特性：X5R（-55°C 至 +85°C，电容变化率±15%）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C
　　直流偏压特性：在25V下电容保持率较高，典型值可达标称值的70%-80%
　　等效串联电阻（ESR）：低至几毫欧级别，具体取决于频率
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　介质材料：钡钛酸盐基陶瓷
　　老化率：≤2.5% / decade hour
　　绝缘电阻：≥500MΩ 或 ≥100Ω·F
　　最大纹波电流：依据频率和温升条件而定
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　端接类型：镍阻挡层/锡铅或纯锡电极（无铅型号）
　　吸湿等级：MSL 1（耐潮湿性强）

UMJ325AB7475KMHT所采用的X5R型介电材料赋予了其良好的温度稳定性，能够在-55°C到+85°C的宽温范围内维持电容值的相对稳定，电容随温度的变化不超过±15%，这使其非常适合用于对温度敏感的应用场景，例如车载电子模块或户外通信设备。相较于Y5V等其他介电类型，X5R在温度稳定性与体积效率之间实现了良好平衡。
　　该电容器具有出色的直流偏压性能，即在接近额定电压工作时仍能保持较高的有效电容值。这对于现代低压大电流电源系统尤为重要，因为在实际应用中，随着外加电压升高，许多MLCC会出现明显的容量下降现象。而本品通过优化内部电极结构和陶瓷层厚度，在25V工作电压下仍可保留约70%以上的初始电容，显著提升了去耦和滤波效果。
　　其1210（3225）封装尺寸在提供较大电容量的同时兼顾了空间布局需求，适合自动化贴片生产流程。该尺寸具备较好的热应力耐受能力，降低因PCB焊接过程中的热膨胀差异导致的裂纹风险。此外，该器件采用了镍阻挡层和无铅端子电极设计，增强了抗焊裂性和长期可靠性，符合现代绿色电子制造趋势。
　　该电容还表现出极低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），有助于提升高频响应能力，减少电源噪声，提高系统整体稳定性。尤其在开关电源输出滤波和IC电源引脚去耦方面表现优异。同时，其高绝缘电阻和低漏电流特性确保了在长时间运行下的能量损耗最小化，提高了系统的能效比。

UMJ325AB7475KMHT因其高电容密度、良好温度特性和可靠的电气性能，被广泛应用于多个高端电子领域。在汽车电子系统中，它常用于发动机控制单元（ECU）、车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统以及ADAS传感器供电电路中的去耦和滤波，满足AEC-Q200对温度循环、耐湿性和寿命的要求。
　　在工业控制设备中，如PLC控制器、变频器和人机界面装置，该电容可用于电源轨稳定和噪声抑制，保障控制系统在恶劣环境下的正常运行。其宽温特性和抗振动能力特别适合工厂自动化场景。
　　通信基础设施也是其重要应用方向，包括基站射频模块、光模块电源管理和路由器主板去耦网络。在此类高频高速系统中，稳定的电容值和低ESR对于维持信号完整性和防止电压跌落至关重要。
　　此外，在医疗电子设备（如便携式监护仪、超声成像系统）和高端消费电子产品（如智能手机、平板电脑的PMU周边）中，该器件也发挥着关键作用。其小型化封装便于密集布板，同时支持高密度集成设计。无论是用于DC-DC转换器的输入/输出滤波，还是为FPGA、DSP等数字芯片提供局部储能，UMJ325AB7475KMHT均能提供稳定可靠的性能支持。

GRM32ER7EA475KA120
　　C3225X5R1E475K160AC
　　CL31A475KPANNNC
　　TC3225X5R0J475K200NR