时间：2025/6/28 13:59:21
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UMJ316BB7473KLHT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各类开关电路中。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低能耗并提升系统效率。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET，适合于高电流和高频率的应用场景。它具备出色的热稳定性和电气性能，使其成为工业控制、消费电子及汽车电子领域中的理想选择。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：30A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：45nC
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
UMJ316BB7473KLHT的主要特点是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流条件下仍然能保持较低的功耗。此外，该器件还具有非常短的开关时间，可以支持高达500kHz的工作频率。
内置的ESD保护功能增强了其在恶劣环境下的可靠性，同时较高的雪崩击穿能量进一步提升了其抗浪涌能力。此外，由于采用了金属氧化物半导体技术，其输出特性曲线平滑且线性度好，非常适合用于精密控制电路。
该器件适用于多种场合，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器
2. DC-DC转换器中的高频开关元件
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动
4. 太阳能逆变器中的功率调节模块
5. 电动汽车充电设备中的功率变换电路
6. 各类工业自动化设备中的负载开关
UMJ316BB7473KHLT, IRF7473, FDP7473
