时间：2025/10/7 7:24:35
阅读：7
UMJ1HR33MDL是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用小型SC-76（SOD-523）封装。该器件专为在便携式电子设备和高密度印刷电路板设计中实现高效能和节省空间而设计。作为一款单通道二极管，UMJ1HR33MDL具有低正向电压降和快速开关特性，适用于需要高效整流和防止反向电流的应用场景。其主要目标市场包括消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类电池供电系统。该型号的命名遵循ROHM的标准编码规则，其中“UMJ”代表系列，“1H”表示电压/电流等级，“R33”可能与批次或内部版本相关，“MDL”标识封装类型和环保属性。这款二极管符合RoHS指令要求，并且具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产工艺。由于其微型化封装和高性能表现，UMJ1HR33MDL广泛应用于对尺寸敏感且对效率有较高要求的现代电子系统中。
产品类型：肖特基势垒二极管
配置：单路
最大重复反向电压（VRRM）：30V
最大正向电流（IF）：300mA
峰值脉冲正向电流（IFSM）：500mA
最大正向电压降（VF）：500mV @ 300mA
最大反向漏电流（IR）：100μA @ 30V
反向恢复时间（trr）：典型值4ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装/外壳：SC-76（SOD-523）
安装类型：表面贴装（SMT）
引脚数：2
湿度敏感等级（MSL）：1（<24小时暴露于空气中）
包装方式：编带（Tape and Reel）
高度：约1.1mm
长度：约1.6mm
宽度：约0.8mm
UMJ1HR33MDL具备优异的电气性能和物理紧凑性，其核心优势之一是采用了肖特基势垒结构，使得该器件在导通时表现出非常低的正向电压降（VF），典型值仅为500mV，在300mA的工作电流下显著降低了功耗并提高了系统效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤其重要，因为它有助于延长续航时间。
此外，该二极管具有极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为4ns，远低于传统PN结二极管，因此在高频开关应用中表现出色，能够有效减少开关损耗并抑制电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于DC-DC转换器、同步整流辅助电路以及信号解调等高频场合。
UMJ1HR33MDL采用SC-76（也称SOD-523）封装，这是一种超小型表面贴装封装，尺寸约为1.6 x 0.8 x 1.1 mm，极大节省了PCB布局空间，适用于智能手机、可穿戴设备、无线耳机和其他追求轻薄化的终端产品。
该器件还具备良好的热稳定性，可在高达+150°C的结温下持续工作，确保在高温环境或高负载条件下仍能保持可靠运行。同时，它支持回流焊工艺，兼容无铅焊接流程，满足现代绿色制造的要求。
在可靠性方面，UMJ1HR33MDL经过严格的质量控制和老化测试，具备出色的抗湿性和长期稳定性，能够在恶劣环境下维持稳定的电学参数。其低反向漏电流（最大100μA @ 30V）也保证了在待机或低功耗模式下的系统安全性，避免不必要的能量浪费。
UMJ1HR33MDL广泛应用于多种低压、小电流的电子系统中，尤其适用于对空间和能效有严苛要求的便携式设备。一个典型应用场景是在DC-DC转换电路中作为续流二极管或防倒灌二极管使用，配合开关稳压器实现高效的能量传递与隔离，提升整体电源效率。
在电池管理系统中，该器件可用于防止电池反接或多个电源路径之间的相互干扰，保护后级电路免受损坏。例如，在双电源切换电路（如USB供电与电池供电之间切换）中，UMJ1HR33MDL可以作为理想的OR-ing二极管，利用其低正向压降减少功率损耗。
此外，它也被广泛用于信号整流、ESD保护辅助电路、电压钳位以及高速数字接口中的噪声抑制等场合。由于其快速响应能力，还能在脉冲检测和高频解调电路中发挥良好作用。
在消费类电子产品如智能手表、TWS耳机、移动电源、蓝牙模块和传感器节点中，UMJ1HR33MDL凭借其微型封装和高可靠性成为首选的分立二极管解决方案。工业控制领域的低功耗传感器模块、IoT无线节点以及LED驱动电路同样适用此型号。
总之，任何需要小型化、高效能、快速响应的单向导电功能的场合，UMJ1HR33MDL都是一个极具竞争力的选择。
RB751V-30
RB751S-30
SS12
BAS70-04W
MBR0520
