时间：2025/6/21 19:44:40
阅读：5
UMJ107BB7104KAHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先进的制造工艺设计。该芯片主要应用于高效率开关电源、电机驱动器、DC-DC 转换器等场景。其卓越的电气特性和可靠性使其在需要高效能和低损耗的应用中表现突出。
该型号具有良好的导通电阻和快速的开关速度，同时具备较高的耐压能力。其封装形式专为散热优化设计，确保在高温工作环境下的稳定性能。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻：70mΩ
栅极电荷：38nC
开关速度：25ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
UMJ107BB7104KAHT 的核心优势在于其出色的电气性能和可靠性。它具备较低的导通电阻，从而减少了传导损耗，提高了整体效率。此外，该器件的快速开关速度使得它能够在高频应用中保持高效运行，减少能量损失。
其高耐压能力确保了在高压环境中的稳定性，同时优化的封装设计提供了优异的热性能。这使得 UMJ107BB7104KAHT 在各种工业和消费类电子设备中表现出色。另外，该芯片还具有较强的抗电磁干扰能力，适合复杂电磁环境下的应用。
该芯片广泛应用于开关电源（SMPS）、电机驱动、DC-DC 转换器、太阳能逆变器以及家电设备等领域。在这些应用中，UMJ107BB7104KAHT 凭借其高效率和可靠性，能够显著提升系统的性能并降低能耗。
特别是在电动汽车（EV）相关的电力电子系统中，该器件因其耐高压和高效能的特点，成为理想的解决方案之一。
UMJ107BB7105KAHT, IRF840, STP75NF06L
