UMH9N 时间：2025/6/14 17:19:13 阅读：4

UMH9N是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），主要用于高频、高效功率转换应用。该器件具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、无线充电以及太阳能逆变器等领域。
　　由于其出色的电气特性，UMH9N能够在高频工作条件下保持较高的效率，同时减小整体系统尺寸和重量。

参数

类型：增强型场效应晶体管
　　材料：氮化镓（GaN）
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ
　　连续漏极电流（Id）：9A
　　封装形式：TO-247-3
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

UMH9N采用了先进的GaN技术，具备以下主要特性：
　　1. 高击穿电压：能够承受高达650V的漏源电压，适合高压应用场景。
　　2. 极低的导通电阻：仅为150mΩ，在大电流情况下显著降低功耗。
　　3. 快速开关能力：开关频率可达到数兆赫兹，非常适合高频功率转换电路。
　　4. 高温稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的性能，最高结温可达+175°C。
　　5. 小尺寸与轻量化设计：有助于减少系统的整体体积和重量，满足现代设备对紧凑性设计的需求。
　　此外，增强型结构使得该器件在正常工作时仅需正向栅极驱动电压即可开启，简化了驱动电路设计。

应用

UMH9N广泛应用于以下领域：
　　1. 电源适配器和充电器：用于快充方案中以提高效率并缩小产品尺寸。
　　2. DC-DC转换器：作为主开关元件实现高效的电压转换。
　　3. 太阳能逆变器：助力提升光伏系统的发电效率。
　　4. 电机驱动：提供可靠的大电流输出控制。
　　5. 无线电力传输：支持高效率的能量传递。
　　6. 工业自动化设备：为各种复杂的工业控制电路提供高性能功率处理能力。