类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大连续漏极电流（Id）：1.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（@ Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：300mW
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

UMH4NTN具备出色的开关性能与导通特性，其核心优势在于低导通电阻与高速响应能力的结合。在Vgs=10V的工作条件下，Rds(on)仅为85mΩ，这意味着在传输电流时产生的功率损耗极低，有助于提高整个系统的能效，尤其适合对能耗敏感的移动设备和嵌入式系统。该器件采用了优化的沟道设计和先进的硅工艺技术，使得载流子迁移率更高，从而在不增加芯片面积的前提下提升了电流承载能力。此外，其较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著减少了驱动电路所需的能量，加快了开关速度，降低了开关损耗，使其在高频PWM调制应用中表现出色。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性与可靠性。尽管封装尺寸微小（SOT-23），但通过优化的内部引线连接和散热路径设计，UMH4NTN能够在有限的PCB布局空间内有效散发热量，避免因局部过热导致性能下降或器件失效。同时，该MOSFET具备较强的抗静电能力（ESD耐压可达2kV以上），增强了在自动化装配过程中的鲁棒性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其不仅适用于常规商业环境，也能在部分工业级应用中稳定运行。
　　UMH4NTN还具备优异的栅极控制特性，阈值电压范围适中（1.0V~2.0V），可兼容3.3V及5V逻辑电平驱动，便于与微控制器、FPGA或其他数字IC直接接口而无需额外电平转换电路。这种灵活性大大简化了系统设计复杂度，缩短了开发周期。此外，器件在关断状态下具有极低的漏电流（通常小于1μA），进一步降低了待机功耗，满足现代电子产品对节能的要求。综合来看，UMH4NTN是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能N沟道MOSFET，特别适合高密度、低功耗的开关应用场景。

UMH4NTN广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合需要高效开关控制的小型化设备。典型应用包括便携式消费电子产品中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑内的负载开关，用于控制不同功能模块（如摄像头、显示屏背光、无线通信单元）的供电通断，以实现动态电源管理与节能目的。此外，在电池供电的物联网终端设备中，该器件可用于电池与主系统的连接控制，防止深度放电并延长续航时间。
　　在电机驱动方面，UMH4NTN可作为微型直流电机或步进电机的驱动开关元件，常见于玩具、小型风扇、打印机走纸机构等低功率机电装置中。其快速开关能力和较低的导通电阻有助于减少发热，提高驱动效率。
　　该器件也常用于LED照明驱动电路中，特别是在需要精确亮度调节的场合，配合PWM信号进行高频开关调光。由于其响应速度快且功耗低，能够实现平滑的亮度变化而不会产生明显闪烁。
　　另外，UMH4NTN还可用于信号路径切换、电平转换电路以及各类模拟/数字开关应用，例如音频信号路由、I2C总线隔离、USB数据线控制等。在这些场景中，它能够提供低失真、低延迟的信号传输路径，并具备良好的隔离性能。
　　工业自动化与传感器系统中，UMH4NTN也被用于远程传感节点的电源控制，实现按需唤醒与休眠机制，从而降低整体系统功耗。其高可靠性与宽温工作范围使其适应较为严苛的工业环境。总之，UMH4NTN凭借其小型化、高效能和易用性，成为众多电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

RN2003X
　　DMG2307U
　　AO3400