UMH3N 时间：2025/8/17 4:37:42 阅读：8

UMH3N 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用小型表面贴装封装，适合高效率、高频应用。UMH3N 的设计使其能够在相对低的导通电阻下运行，从而减少功率损耗，提高系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　封装类型：SOP
　　最大漏极电流 (ID)：100 mA
　　最大漏源电压 (VDS)：30 V
　　最大栅源电压 (VGS)：±20 V
　　导通电阻 (RDS(on))：约 3.5 Ω（在 VGS = 10 V）
　　功耗 (PD)：200 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

UMH3N MOSFET 具备多项优良特性，适用于多种电子电路设计。其 N 沟道结构支持高效的电流控制能力，适合用于低功率开关应用。该器件的导通电阻较低，有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的能效。
　　此外，UMH3N 采用小型 SOP 封装，适合高密度 PCB 设计，尤其在空间受限的应用中具有优势。其封装设计也便于自动化装配和回流焊工艺，提升生产效率。
　　该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，适用于中低压电源管理应用。栅源电压容限为 ±20V，使得其在各种驱动条件下具有良好的稳定性和可靠性。此外，其最大漏极电流为 100mA，适用于轻负载开关和信号控制应用。
　　UMH3N 的工作温度范围较宽，可在 -55°C 至 +150°C 的环境下稳定运行，适合在工业级温度环境中使用。其热稳定性和耐用性良好，适用于长时间运行的电子产品。

应用

UMH3N 常用于各种电子设备中的电源管理和开关控制应用。例如，在便携式电子产品中，该 MOSFET 可用于电池供电电路的开关控制，以提高能效并延长电池寿命。
　　在通信设备中，UMH3N 可用于信号切换和电源管理模块，实现对不同电路部分的精确控制。此外，它也适用于传感器电路中的开关元件，用于控制传感器的供电或信号路径。
　　由于其封装小巧，UMH3N 也广泛应用于消费类电子产品，如智能手表、无线耳机、智能家居设备等，用于实现低功耗、高效能的电路控制。
　　另外，该器件也适合用于 LED 驱动电路，尤其是在需要精确电流控制的场合，如背光调节或指示灯控制。其低导通电阻和良好的热性能使其在这些应用中表现出色。