UMG4N 时间：2025/11/8 3:04:18 阅读：19

UMG4N是一款由优恩半导体（UN Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等高效率、高频工作的电子系统中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性等优点，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于消费类电子产品、工业控制设备及便携式电源系统等多种场景。UMG4N封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装器件，具有体积小、重量轻、便于自动化贴片生产的特点，特别适合对空间布局要求较高的紧凑型电路设计。其引脚配置为三端结构：G（栅极）、D（漏极）、S（源极），标准封装下引脚排列清晰，兼容主流PCB设计规范，可有效降低电路寄生电感，提升整体系统可靠性。此外，UMG4N在设计上注重静电防护能力，内置一定的ESD保护机制，提升了器件在实际使用中的耐用性与安全性。

参数

型号：UMG4N
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　极性：N-Channel
　　漏源电压VDS：30V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID：5.3A（@ TC=70℃）
　　脉冲漏极电流IDM：18A
　　导通电阻RDS(on)：28mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：36mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压VGS(th)：1.1V ~ 2.2V
　　输入电容Ciss：680pF @ VDS=15V
　　输出电容Coss：190pF @ VDS=15V
　　反向传输电容Crss：50pF @ VDS=15V
　　栅极电荷Qg：10nC @ VGS=10V
　　功耗PD：1W（@ TA=25℃）
　　工作结温范围TJ：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围TSTG：-55℃ ~ +150℃

特性

UMG4N采用高性能沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下，典型值仅为28mΩ，而在较低驱动电压4.5V下也能保持36mΩ的低阻表现，这使得它在电池供电或低压驱动应用中表现出优异的能效特性。低RDS(on)意味着更小的导通损耗，从而减少发热，提高电源转换效率，尤其适用于大电流开关场合如同步整流、负载开关或H桥驱动电路。该器件具备快速开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg=10nC）和输入电容（Ciss=680pF），可在高频PWM控制下实现迅速开启与关断，降低开关损耗，提升系统整体效率。同时，其反向传输电容（Crss）仅为50pF，有助于抑制米勒效应引起的误触发，增强在高dv/dt环境下的运行稳定性。
　　UMG4N的工作结温范围宽达-55℃至+150℃，确保了其在极端温度环境下仍能可靠运行，适用于工业级应用场景。器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代绿色电子产品制造要求。SOT-23封装不仅节省PCB空间，还具备良好的散热性能，通过优化焊盘设计可进一步提升热传导效率。此外，该MOSFET具有较强的抗静电能力，栅氧化层经过特殊处理，能够承受一定水平的静电冲击，提高了装配过程中的良品率。综合来看，UMG4N以其低导通电阻、高电流承载能力、优异的开关性能和紧凑封装，在众多同类产品中具备较强竞争力，是中小功率电源系统中理想的开关元件选择。

应用

UMG4N广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子设备中。常见用途包括便携式电子产品的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、移动电源中的负载开关或电池保护电路；在DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关使用，以提高转换效率并减少热量产生；也可用于LED驱动电路中作为恒流控制的开关元件，提供稳定的光输出；在电机驱动领域，特别是微型直流电机或步进电机的H桥驱动方案中，UMG4N凭借其快速响应和低导通损耗特性，可有效提升驱动效率并延长电池续航时间；此外，该器件还适用于各类开关电源（SMPS）、USB电源控制、热插拔电路、继电器替代以及各种嵌入式控制系统中的功率切换功能。由于其SOT-23封装体积小巧，特别适合高度集成的主板、模块电源、传感器供电单元等对空间敏感的设计场景。