类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压(VDS)：30V
　　栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：3.0A（@25℃）
　　脉冲漏极电流(IDM)：12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压(Vth)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容(Ciss)：380pF（@VDS=15V）
　　输出电容(Coss)：120pF（@VDS=15V）
　　反向恢复时间(trr)：18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　功耗(PD)：1W（@TA=25℃）

UMG3NTR采用先进的沟槽式场效应晶体管结构，具备出色的电学性能和热稳定性，能够在高频开关环境下保持高效能运作。其核心优势之一是低导通电阻，在VGS=10V条件下RDS(on)仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场合。此外，该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好导通能力，例如在VGS=4.5V时RDS(on)为60mΩ，使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制，无需额外升压电路即可直接由微控制器IO口驱动，简化了设计复杂度并节省外围元件成本。
　　该MOSFET具有快速开关响应能力，输入电容Ciss典型值为380pF，配合低栅极电荷特性，有助于减少开关延迟和动态损耗，提高DC-DC转换器、电机驱动及LED调光电路的工作频率上限。同时，其反向恢复时间trr仅为18ns，体二极管性能优异，减少了在感性负载关断过程中产生的电压尖峰和能量损耗，增强了系统的可靠性和抗干扰能力。器件的最大漏源电压为30V，适合用于12V或24V以下的低压直流系统，如USB电源开关、锂电池保护板、小型继电器驱动等场景。
　　UMG3NTR的SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布板，还具备一定的散热能力，在自然对流条件下可承受1W的功耗（25℃环境温度），但在高负载应用中建议增加敷铜区域或采用多层PCB以提升散热效果。工作结温范围宽达-55℃至+150℃，可在严苛环境温度下稳定运行，满足工业级应用需求。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于出口型电子产品生产。总体而言，UMG3NTR是一款兼具高性能、小尺寸与高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种低电压、中电流的开关控制应用。

UMG3NTR广泛应用于各类低电压开关电源系统中，常见于DC-DC转换器的同步整流部分，利用其低导通电阻特性降低传导损耗，提升转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等产品中，常被用作电池充放电路径上的开关控制元件，配合保护IC实现过流、短路保护功能。此外，该器件也适用于LED照明驱动电路中的恒流调节或分组切换控制，尤其在PWM调光方案中表现出色，得益于其快速的开关响应能力和较小的寄生参数。
　　在工业控制领域，UMG3NTR可用于小型电磁阀、微型电机、继电器线圈的驱动电路，作为低压侧开关连接微控制器与负载之间，实现数字信号对大电流负载的有效控制。由于其支持3.3V和5V逻辑电平直接驱动，因此非常适合与STM32、ESP32、Arduino等主流MCU配合使用，无需额外添加电平转换或驱动芯片，简化了整体电路设计。在电源管理系统中，该MOSFET还可用于多电源选择电路（Power MUX）、热插拔控制、负载开关模块等场合，提供快速通断和电流隔离功能。
　　另外，UMG3NTR也常见于各类消费类电子产品中的接口保护电路，例如USB端口的过流保护开关，防止因外部设备短路导致主电源崩溃。其小型化封装有利于在空间受限的产品内部实现精细化布局，同时兼顾电气性能与成本控制。综上所述，UMG3NTR凭借其优异的综合性能，已成为许多嵌入式系统、智能硬件和电源模块中的关键元器件之一。

MMBT3055LT1G
　　FQM3N30T
　　AO3400A
　　FDS6679