类型：肖特基二极管
　　封装：SOD-123
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　平均整流电流（IO）：1A
　　正向压降（VF）：0.5V @ 1A
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-65°C ~ +125°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C ~ +150°C
　　热阻（RθJA）：150°C/W
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns

UMG1N肖特基二极管最显著的特性之一是其低正向导通压降，通常在0.5V左右（@1A），远低于传统硅PN结二极管的0.7V~1.0V水平。这种低VF特性使得在大电流通过时产生的导通损耗显著降低，从而提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景，如移动终端、可穿戴设备和便携式充电器等。由于采用肖特基结构，该器件的开关速度非常快，反向恢复时间（trr）典型值仅为5纳秒，几乎可以忽略不计，这使其在高频开关电路中表现优异，例如在DC-DC升压/降压变换器、同步整流辅助电路和高频逆变器中可有效减少开关过程中的能量损耗与电磁干扰（EMI）。
　　另一个重要特性是其良好的热稳定性和可靠性。尽管肖特基二极管普遍存在反向漏电流较大的问题，但UMG1N在25°C下的最大反向漏电流控制在0.1mA以内，且随着温度升高增长较为平缓，能够在-65°C至+125°C的结温范围内保持稳定工作。其SOD-123小型化封装不仅节省PCB空间，还具备较好的散热能力，配合合理的布局设计可满足一般功率等级下的热管理需求。此外，该器件具有较强的抗浪涌能力，能够承受短时间内的过电流冲击，提升了系统在异常工况下的鲁棒性。UMG1N还具备优良的ESD耐受能力，适合自动化贴片生产和严苛的制造环境。综上所述，UMG1N凭借其高效、快速、紧凑的设计特点，成为现代低电压、高频率电力电子系统中的关键元件之一。

UMG1N肖特基二极管广泛应用于各类中小功率电子系统中，尤其适合需要高效率和快速响应的场合。在电源管理系统中，它常被用作续流二极管、防反接保护二极管或输出整流元件，特别是在DC-DC转换器（如Buck、Boost和Buck-Boost拓扑）中发挥着重要作用，帮助提升转换效率并减小整体尺寸。在电池充电与放电回路中，UMG1N可用于防止电流倒灌，保护电池安全。此外，该器件也常见于AC-DC适配器、LED驱动电源、USB供电模块及小型逆变电源中，作为高频整流单元使用。
　　在消费类电子产品方面，UMG1N大量应用于智能手机、平板电脑、蓝牙耳机、智能手表等便携设备的电源路径管理中，因其低功耗特性有助于延长续航时间。工业控制领域中，它可用于PLC模块、传感器供电电路、继电器驱动电路中的飞轮二极管，抑制感性负载关断时产生的反向电动势，保护开关器件（如MOSFET或三极管）。通信设备中，UMG1N也可用于信号整流、检波或钳位电路，保障信号完整性。同时，由于其符合RoHS标准并支持无铅焊接，适用于现代绿色电子产品制造流程。总之，UMG1N凭借其优异的电气性能和紧凑封装，已成为多种电子系统中不可或缺的基础元器件。