时间：2025/6/9 19:04:12
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UMF7NTR是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关和放大电路中，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特性。它适用于多种电子应用领域，例如电源管理、电机驱动以及负载切换等。
该MOSFET采用小型化的SOT-23封装形式，有助于节省印刷电路板的空间，并具备较高的电气性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：450mA
导通电阻（Rds(on)）：4.5Ω（在Vgs=10V时）
总功耗：410mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
UMF7NTR具备以下特点：
1. 极低的导通电阻确保了更高的效率和更低的功率损耗。
2. 高速开关能力使其非常适合高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装便于设计紧凑型电路。
4. 具有强大的静电防护能力，从而提高了产品的可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
这种MOSFET主要应用于以下场景：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. 电池供电设备中的负载开关。
3. 消费类电子产品中的信号切换。
4. 便携式设备中的DC-DC转换电路。
5. 各种保护电路，如过流保护或短路保护。
UMF7NTRH, BSS138, 2N7000
