类型：肖特基势垒二极管
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：550mV（在500mA时）
　　最大反向漏电流（IR）：400μA（在40V时）
　　工作结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：250°C/W（典型值）
　　安装类型：表面贴装

UMF5NTR具备出色的电气性能和可靠性，其核心特性之一是低正向导通电压，通常在550mV左右（测试条件为500mA），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体能效。这一特点特别适合用于低压直流电路中的整流与防反接保护，例如在USB供电路径、电池充电管理系统或DC-DC转换器中作为续流或隔离二极管使用。此外，由于肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此具有极快的开关速度，能够有效减少开关过程中的能量损失，适用于高频开关电源拓扑结构。
　　另一个关键特性是其小型化封装SOD-123FL，这种封装比传统的SOD-123更加紧凑，有助于节省PCB空间，非常适合高密度布局的便携式设备如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。尽管体积小，但该器件仍具备良好的散热性能，结合合理的PCB设计（如增加铜箔面积），可以在一定程度上提升其电流承载能力和长期稳定性。
　　UMF5NTR还表现出较低的反向漏电流，在常温下不超过400μA（40V反向电压），虽然相比普通PN结二极管略高，但在同类肖特基产品中处于合理水平。需要注意的是，随着环境温度升高，反向漏电流会有所增加，因此在高温应用场景中应适当降额使用以确保可靠性。该器件支持高达150°C的最大结温，具备较强的耐热能力，可在恶劣环境下稳定工作。
　　从制造工艺上看，UMF5NTR采用成熟稳定的半导体工艺生产，保证了批次间的一致性和长期供货能力。同时，该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准，意味着它不仅可用于消费电子，也能应用于汽车电子系统中的非主控模块，如车载信息娱乐系统或传感器供电电路。综合来看，UMF5NTR是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能肖特基二极管。

UMF5NTR广泛应用于各类需要高效、小型化整流解决方案的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理电路，例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等设备的充电回路或电池保护模块，用作防止电池反向放电的隔离二极管。在DC-DC转换器中，它常被配置为续流二极管（flyback diode），利用其低正向压降和快速响应特性来提高转换效率并减少发热。
　　该器件也适用于USB接口的电源路径管理，特别是在5V供电线路中提供过压和反接保护，防止外部异常电源损坏内部IC。此外，在AC-DC适配器的次级整流环节，若输出电流需求不高（低于500mA），UMF5NTR也可作为同步整流的替代方案，简化设计复杂度。
　　在工业控制领域，UMF5NTR可用于PLC输入模块的信号调理电路、传感器供电隔离以及继电器驱动电路中的反电动势抑制。由于其具备一定的抗瞬态浪涌能力（8A峰值电流），能够在短时过载情况下维持功能完整性。
　　在汽车电子方面，得益于其符合AEC-Q101认证，该器件可用于车身控制系统，如车灯驱动、门锁模块或车内充电端口的保护电路。此外，在物联网设备、智能家居终端和无线传感器节点中，UMF5NTR凭借其低功耗特性和小尺寸封装，成为优化电源架构的理想元件之一。总之，凡是对空间、效率和可靠性有要求的低压整流场合，UMF5NTR均是一个值得考虑的选择。

MURS540T3G
　　RB520S30T1G
　　SS14
　　MBR0540