时间：2025/4/29 14:35:28
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UMF4NTR 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等场景。该器件采用小型化的 SOT-23 封装形式，具备低导通电阻和快速开关特性，非常适合对效率和空间要求较高的应用。
这款 MOSFET 的设计能够承受较高的电流和电压，同时保持较低的功耗，是许多便携式和消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1.8A
导通电阻（典型值）：150mΩ
栅极电荷：7nC
总电容：19pF
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 采用 N 沟道增强型技术，具有高可靠性及稳定性。
2. 具备低导通电阻，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关能力可减少开关损耗。
4. SOT-23 封装使其非常适用于紧凑型设计。
5. 工作温度范围宽，适应多种环境条件。
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 用于 DC-DC 转换器的高频开关元件。
3. 电池保护电路中的负载开关。
4. 各种小型电机驱动控制电路。
5. 便携式设备中的电源管理模块。
UMF4NTD, BSS138, AO3400
