时间：2025/6/21 3:49:49
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UMF316B7474MLHT 是一款基于硅工艺制造的高效能功率 MOSFET 芯片，专为高频开关应用而设计。该器件采用先进的封装技术以优化散热性能，并具有低导通电阻和快速开关速度等优点。广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高效率和高可靠性的电子系统中。
型号：UMF316B7474MLHT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
总功耗（Ptot）：80W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
UMF316B7474MLHT 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适合现代高效电源转换需求。
3. 内置反向二极管结构，可有效保护电路免受反向电流冲击。
4. 强大的热稳定性，即使在极端条件下也能保持稳定的性能输出。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 高度可靠的电气参数设计，适用于工业及汽车级应用场景。
该芯片的应用领域包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制与驱动电路。
3. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电路径管理。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电源管理和配电模块。
6. LED 驱动器和高亮度照明系统中的功率调节。
7. 各种需要高效能功率开关的电子装置。
UMF316B7474MLH, IRFZ44N, FDP16N60C
