类型：NPN
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：50 V
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：50 V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大总功耗（Ptot）：250 mW
　　直流电流增益（hFE）：100 至 400
　　过渡频率（fT）：200 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装类型：SOT-23

UMD9NTR具备优异的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）达到200MHz，使其非常适合用于射频（RF）放大器、高速开关电路以及信号调理应用。该晶体管在小信号放大方面表现出色，直流电流增益（hFE）范围为100至400，确保了在不同工作条件下都能提供稳定的增益性能。这种宽泛的增益范围使得设计人员可以在多种偏置点下优化电路性能，而无需更换器件型号。
　　该器件采用先进的平面外延工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其最大总功耗为250mW，在SOT-23封装中属于较高水平，能够在有限空间内实现较高的功率处理能力。此外，集电极-发射极击穿电压为50V，允许其在多种电源电压环境下安全运行，包括常见的5V、12V和24V系统。
　　UMD9NTR的工作结温范围从-55°C到+150°C，使其适用于严苛的工业和汽车环境。即使在高温或低温条件下，其电气特性仍能保持稳定，减少了因温度变化引起的性能漂移。该晶体管还具有较低的饱和压降（VCE(sat)），通常在150mV左右（IC = 10mA, IB = 1mA），这有助于降低导通损耗，提高整体能效。
　　SOT-23封装不仅节省PCB空间，而且具有良好的散热性能和焊接可靠性，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺。卷带包装形式（TR）便于自动贴片机取料，提升了大规模生产的效率和一致性。综合来看，UMD9NTR是一款性能均衡、应用广泛的通用NPN晶体管，适用于需要小型化、高可靠性和良好高频特性的现代电子系统。

UMD9NTR广泛应用于各类电子设备中，主要作为小信号放大器或电子开关使用。在便携式消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常用于音频前置放大、传感器信号调理和逻辑电平转换等电路。由于其高频特性良好，也常见于无线通信模块中的射频放大和调制解调电路。
　　在工业控制系统中，UMD9NTR可用于驱动继电器、LED指示灯、光耦合器以及小型电磁阀等负载，作为微控制器与执行机构之间的接口元件。其100mA的集电极电流能力足以满足大多数低功率驱动需求。同时，其快速开关特性使其适用于脉宽调制（PWM）控制场景，例如电机速度调节或亮度控制。
　　在电源管理电路中，该晶体管可用于线性稳压器的误差放大级或反馈控制环路中，帮助实现输出电压的精确调节。此外，在模拟信号切换或多路复用器设计中，UMD9NTR也可作为开关元件，配合其他有源或无源器件完成信号路径的选择。
　　由于其工作温度范围宽且可靠性高，UMD9NTR也被用于汽车电子系统，如车身控制模块、车载传感器接口和车内照明控制等。总之，该器件凭借其紧凑封装、稳定性能和广泛兼容性，成为众多嵌入式系统和混合信号电路中的首选三极管之一。

MMBT3904, BC847B, 2N3904, FMMT211