时间：2025/4/29 13:15:54
阅读：2
UMD2NTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景，例如电源管理、电机驱动、负载切换等。由于其优良的电气性能和可靠性，UMD2NTR 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备中。
这款 MOSFET 采用先进的制造工艺，能够在高频条件下提供较低的功耗和较高的效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：35A
栅极阈值电压：2.1V
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-220
UMD2NTR 的主要特性包括：
1. 高电流承载能力：可支持高达 35A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
2. 极低导通电阻：仅为 4.5mΩ，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷和输出电容，适合高频操作。
4. 耐热增强封装：采用 TO-220 封装，具有良好的散热性能。
5. 宽工作温度范围：能够适应极端环境条件，从 -55℃ 到 +150℃ 均能稳定运行。
6. 可靠性高：经过严格的质量测试，确保在各种应用中的长期稳定性。
UMD2NTR 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：作为主开关或同步整流器使用。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机或其他类型的电动机。
3. 负载切换：实现对不同负载的快速开启和关闭。
4. 电池保护电路：防止过充、过放及短路等情况发生。
5. 工业自动化设备：如变频器、逆变器等电力电子装置。
6. 通信设备：为基站和其他电信基础设施提供高效的电源管理方案。
IRFZ44N, FDP5500
