UMD2N 时间：2025/12/25 10:39:24 阅读：11

UMD2N是一种小型表面贴装肖特基势垒二极管，广泛应用于便携式电子设备和高频开关电路中。该器件采用SOD-323（SC-76）封装，具有体积小、响应速度快、功耗低等特点，适合在高密度印刷电路板上使用。UMD2N的核心结构为单个肖特基二极管，其设计目标是在低电压、低电流条件下实现高效的整流和信号检波功能。由于采用了铂（Pt）或类似金属形成的肖特基接触，该二极管具备较低的正向导通压降（通常在0.3V至0.5V之间），从而显著减少能量损耗并提高系统效率。此外，其反向恢复时间极短，几乎可以忽略不计，因此特别适用于高频开关电源、DC-DC转换器以及信号解调等对响应速度要求较高的场合。
　　UMD2N的工作温度范围一般为-55°C至+150°C，能够在较宽的环境温度下稳定运行，适应多种工业与消费类应用场景。其最大重复峰值反向电压（VRRM）约为60V，最大平均整流电流为200mA，属于微功率等级器件。这种规格使其非常适合用于低压直流系统的防反接保护、电源轨隔离、电压钳位及瞬态电压抑制等用途。同时，由于其封装尺寸小巧且符合RoHS环保标准，UMD2N也常被用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他空间受限的电子产品中作为关键的保护与控制元件。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　封装：SOD-323（SC-76）
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：60V
　　最大平均整流电流（IO）：200mA
　　峰值浪涌电流（IFSM）：1A
　　正向压降（VF）：典型值0.45V（在100mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大1μA（在25°C，60V时）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（RθJA）：约450°C/W
　　电容（CT）：约15pF（在4V偏置下）

特性

UMD2N的主要特性之一是其采用肖特基势垒结构，这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关速度。由于其载流子输运机制主要依赖多数载流子（电子），不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中表现出极短的反向恢复时间，几乎可以视为零。这一特性极大地减少了开关过程中的能量损耗，提升了整体能效，尤其是在DC-DC转换器、同步整流辅助电路和负载切换等场景中表现优异。此外，低VF意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于改善系统的热管理设计，延长周边元器件的使用寿命。
　　另一个重要特性是其小型化封装——SOD-323。该封装仅有两个引脚，外形紧凑（约1.7mm × 1.25mm × 1.1mm），非常适合高密度PCB布局。尽管体积小，但其机械强度和焊接可靠性经过优化，支持自动化贴片生产流程，并具备良好的耐湿性和抗热冲击能力。该器件还符合无铅焊接工艺要求，满足现代电子产品对环保和绿色制造的需求。
　　UMD2N具有良好的温度稳定性，在高温环境下仍能保持较低的漏电流水平。其最大反向漏电流在室温下仅为1μA左右，在结温达到+125°C时也控制在合理范围内（一般不超过50μA），确保在恶劣工况下的可靠运行。此外，该二极管具备一定的浪涌电流承受能力（可达1A），可在瞬态过流事件中提供一定程度的自我保护。综合来看，UMD2N凭借其高效、快速、小型和可靠的综合性能，成为现代低功耗电子系统中不可或缺的基础元件之一。

应用

UMD2N广泛应用于各类需要高效、小型整流或信号处理功能的电子设备中。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机中，它常用于电池供电路径的防反接保护，防止因电池安装错误导致主控芯片损坏；同时也在多电源选择电路中作为隔离二极管使用，确保不同电源之间不会相互倒灌电流。在DC-DC转换电路中，特别是升压或降压拓扑结构中，UMD2N可用于续流（flyback）路径，利用其低正向压降减少能量损失，提升电源转换效率。
　　在通信与信号处理领域，UMD2N因其快速响应特性而被用作高频信号检波器或包络检测器，常见于无线遥控、红外接收模块和简单的射频前端电路中。此外，它还可作为瞬态电压抑制元件，在I/O接口处提供ESD（静电放电）保护，吸收突发的高压脉冲，保护敏感逻辑电路不受损害。在工业控制与传感器系统中，UMD2N可用于电平钳位、反极性保护和信号整形等功能，例如在霍尔传感器输出端防止负向电压冲击。
　　由于其高可靠性和宽工作温度范围，UMD2N也被应用于汽车电子系统中的非动力域部分，如车载信息娱乐系统、LED照明驱动和小型电机控制电路中。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、快速开关行为的应用，UMD2N都是一个极具性价比的选择。