UMD22NTR 时间：2025/12/25 10:15:51 阅读：15

UMD22NTR是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的Trench MOS结构，专为高效率、低导通损耗的应用设计。该器件封装于S-Mini（双侧散热）小型化封装中，具有出色的热性能和空间利用率，适用于需要紧凑布局且对散热要求较高的电源系统。UMD22NTR在开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中表现出色，尤其适合便携式电子产品和工业控制模块等应用场景。其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）特性使其能够实现快速开关响应，从而提高整体系统效率并减少开关损耗。此外，该MOSFET具备良好的雪崩耐受能力，增强了在瞬态电压冲击下的可靠性。产品符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其在汽车电子应用中的适用性和高可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　漏源电压VDS：20V
　　连续漏极电流ID：7.8A
　　脉冲漏极电流IDM：31.2A
　　功耗PD：1W
　　栅源电压VGS：±12V
　　导通电阻RDS(on)：15mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻RDS(on)：12mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压Vth：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：520pF @ VDS=10V
　　输出电容Coss：190pF @ VDS=10V
　　反向传输电容Crss：40pF @ VDS=10V
　　栅极电荷Qg：6.8nC @ VGS=10V
　　上升时间tr：9ns
　　下降时间tf：7ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini

特性

UMD22NTR采用罗姆专有的Trench MOS工艺技术，这种结构通过优化芯片内部的沟道设计，显著降低了导通电阻RDS(on)，同时保持了良好的开关特性。其在VGS=4.5V时的典型RDS(on)仅为15mΩ，在低电压驱动条件下仍能实现高效导通，适用于3.3V或5V逻辑电平直接驱动的应用场景。由于采用了双侧散热S-Mini封装，器件可以从PCB顶层和底层同时进行热传导，有效提升散热效率，使得即使在1W的最大功耗下也能维持稳定工作温度。该封装尺寸小巧，仅约2mm x 2mm级别，极大节省了电路板空间，特别适合高密度组装需求。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=6.8nC）和输入电容（Ciss=520pF），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量更少，有助于降低控制器的负担并提升系统整体能效。其快速的上升时间（9ns）和下降时间（7ns）进一步支持其在高频DC-DC变换器中的应用，如同步整流拓扑结构中作为下管使用。此外，器件具备较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压瞬变或感性负载突变时提供一定的自我保护机制，提升了系统的鲁棒性。
　　UMD22NTR还经过严格的AEC-Q101认证，确保其在高温、振动和湿度等恶劣环境下依然保持稳定的电气性能，因此不仅可用于消费类电子，也广泛应用于汽车电子系统，如车载信息娱乐电源管理、LED照明驱动和传感器供电模块。其宽泛的工作结温范围（最高+150°C）使其能在高温环境中长期运行而不易发生热失效。综合来看，UMD22NTR是一款兼具高性能、小体积与高可靠性的N沟道MOSFET，适用于多种现代电子系统的功率开关需求。

应用

UMD22NTR广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，尤其是在需要高效率和小型化的场合。常见应用包括便携式电子设备中的DC-DC降压转换器，用于为主处理器、内存和其他功能模块提供稳定的电压调节；在同步整流型Buck电路中作为低边开关使用，利用其低RDS(on)特性减少导通损耗，提高转换效率。此外，它也被用于电池供电系统中的负载开关，实现对不同功能模块的上电/断电控制，以延长续航时间。在汽车电子领域，该器件可用于车身控制模块、车内照明驱动、电动门窗控制单元以及车载充电器等子系统，得益于其AEC-Q101车规认证和优良的热稳定性。工业控制方面，可应用于PLC输入输出模块、传感器电源管理和小型电机驱动电路。由于其封装支持双面散热，特别适合安装在空间受限但散热要求高的主板或模块化电源板上。