时间：2025/6/26 10:30:42
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UMD15N是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于开关和功率管理应用，具有较低的导通电阻和较快的开关速度。它广泛用于各种电子设备中，如电源适配器、DC-DC转换器、电池保护电路等。其设计旨在提供高效的功率转换和可靠的性能。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：15A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：25nC
总功耗：40W
工作温度范围：-55℃至175℃
UMD15N具有低导通电阻，能够显著降低功率损耗，从而提高系统效率。
该器件采用先进的制造工艺，确保了较高的可靠性和稳定性。
快速的开关特性使其非常适合高频应用。
封装形式紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
具备出色的热性能，有助于提升整体系统的散热能力。
UMD15N主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换、逆变器、不间断电源（UPS）、消费类电子产品中的功率控制以及工业设备中的功率管理模块。
此外，它还可以用于汽车电子系统中的电池管理与保护功能。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP18N06
