UMD10N 时间：2025/8/17 4:14:45 阅读：28

UMD10N是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高电流和高电压的应用场景。它采用TO-252封装，具有较低的导通电阻和较高的效率，适用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。这款MOSFET具有良好的热稳定性和耐用性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏-源电压（VDS）：100V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
　　最大功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

特性

UMD10N具有较低的导通电阻，使其在高电流负载下保持较低的功率损耗，从而提高整体效率。其100V的漏-源电压额定值使其适用于多种中高压应用场景。此外，UMD10N采用TO-252封装，具有良好的散热性能，能够在较高温度下稳定工作。该器件还具有快速开关特性，减少了开关损耗，并且能够承受一定的短路和过载条件，适用于对可靠性要求较高的系统。UMD10N的栅极驱动电压范围较宽，使其能够兼容多种驱动电路，包括3.3V和5V逻辑电平控制器。

应用

UMD10N常用于电源管理模块，例如DC-DC降压或升压转换器，也适用于负载开关、电机驱动、电池管理系统以及工业控制电路。其高效率和高可靠性的特点使其成为汽车电子、消费电子和工业自动化设备中的理想选择。此外，UMD10N也可用于功率因数校正（PFC）电路和开关电源（SMPS）中，以提高系统的整体能效和稳定性。