器件型号：UMBF170L-AE3-R
　　制造商：UnitedSiC (Qorvo)
　　技术类型：碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1.5 A
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：50 A（半正弦波，60Hz）
　　正向电压降（VF）：1.7 V（典型值，@ IF = 1.5 A, TJ = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：2 μA（典型值，@ VR = 1200 V, TJ = 25°C）；随温度升高而增加
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　反向恢复时间（trr）：≤ 15 ns（几乎无反向恢复电荷，Qrr ≈ 0）
　　封装类型：DFN（Surface Mount）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RθJC）：约 40 °C/W（依PCB设计而异）

UMBF170L-AE3-R的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的肖特基结构，使其在高频开关应用中表现出卓越的性能。传统硅基PIN二极管在关断过程中会产生显著的反向恢复电荷（Qrr），导致开关损耗增加和电磁干扰（EMI）问题，而UMBF170L-AE3-R由于是肖特基势垒结构，不存在少子存储效应，因此反向恢复电荷几乎为零，反向恢复时间极短（通常小于15ns），极大降低了开关过程中的能量损耗。这一特性使得该器件特别适合用于连续导通模式（CCM）和临界导通模式（CrM）的功率因数校正（PFC）电路中，能够显著提高系统效率并减少散热需求。
　　其次，该器件具备高达1200V的反向耐压能力，可满足大多数工业级和新能源应用中的高压需求。在高温工作环境下，其正向压降变化较小，且漏电流控制良好，即便在175°C的结温下仍能保持可靠运行。相较于硅二极管在高温下漏电流急剧上升的问题，碳化硅材料的宽禁带特性赋予了UMBF170L-AE3-R更强的热稳定性，从而提升了系统的长期可靠性。此外，其低正向压降（典型1.7V @ 1.5A）有助于降低导通损耗，进一步优化能效表现。
　　DFN封装不仅体积小巧，还具备良好的热传导性能，有利于热量从底部焊盘传导至PCB，提升散热效率。该封装无引线设计也减少了寄生电感，有助于在高频应用中抑制电压尖峰和振铃现象。同时，UMBF170L-AE3-R符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其适用于汽车电子等对可靠性要求极高的应用场景。综合来看，该器件在效率、可靠性与空间利用率之间实现了优秀平衡，是现代高效电源设计的理想选择之一。

UMBF170L-AE3-R凭借其高性能碳化硅特性，广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中。在通信电源和服务器电源领域，该器件常用于有源钳位反激（Active Clamp Flyback）、图腾柱PFC（Totem-Pole PFC）等拓扑结构中，作为输出整流或升压二极管使用，其低Qrr和快速响应能力有效降低了开关损耗，提高了整体电源效率，满足80 PLUS钛金等高能效标准的要求。
　　在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能系统，UMBF170L-AE3-R可用于直流链路的续流或防反保护，其高耐压能力和高温稳定性确保了在户外严苛环境下的长期可靠运行。在电动汽车相关应用中，包括车载充电机（OBC）和直流充电桩，该器件可用于功率变换模块中的整流与续流功能，帮助实现更高功率密度和更小散热体积的设计目标。
　　此外，该二极管也适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、感应加热设备以及高电压DC-DC转换器等场合。由于其表面贴装DFN封装易于自动化生产，适合大规模制造，因此在追求小型化和高集成度的现代电子产品中备受青睐。无论是在提高系统效率、降低温升，还是在增强电磁兼容性方面，UMBF170L-AE3-R都展现出显著的技术优势。

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