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UMBF170G-AE2-R 发布时间 时间:2025/12/27 7:17:41 查看 阅读:18

UMBF170G-AE2-R是一款由Uniohm(台湾宇邦)生产的表面贴装超快恢复二极管,采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计,具备低正向压降和快速反向恢复时间的特性,适用于各类电源转换系统中的整流与续流功能。由于其紧凑的封装形式和优异的电气性能,UMBF170G-AE2-R广泛应用于便携式电子产品、开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器以及各类消费类电子设备中。该二极管符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代自动化贴片生产线。器件的命名遵循行业惯例,其中'UMB'代表系列,'F170'表示材料与电压等级,'G'可能代表电性分档,'AE2-R'则标识卷带包装规格。

参数

类型:超快恢复二极管
  封装:SOD-123FL
  极性:单路
  反向重复峰值电压(VRRM):70V
  平均整流电流(IO):1A
  正向压降(VF):典型值850mV @ 1A
  最大反向漏电流(IR):5μA @ 70V
  反向恢复时间(trr):≤30ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  热阻(RθJA):约400°C/W
  安装类型:表面贴装(SMT)

特性

UMBF170G-AE2-R的核心优势在于其出色的开关性能和紧凑的物理尺寸。该器件采用先进的硅芯片制造工艺,确保了在高频开关环境下的稳定性和可靠性。其反向恢复时间(trr)被控制在30纳秒以内,这显著降低了在开关过程中产生的反向恢复电荷和开关损耗,从而提高了整体电源系统的效率。尤其在高频DC-DC转换器和同步整流拓扑中,这种快速恢复特性能够有效减少电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。
  该二极管的正向压降(VF)在1A电流下仅为850mV左右,这一低导通损耗特性有助于降低器件自身发热,提高能效。同时,1A的额定平均整流电流使其能够满足大多数中低功率应用的需求。SOD-123FL封装具有较小的体积(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),非常适合空间受限的高密度PCB布局,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
  此外,UMBF170G-AE2-R具备良好的热稳定性和耐浪涌能力,在瞬态过载条件下仍能保持可靠工作。其-55°C至+150°C的工作结温范围覆盖了绝大多数工业与消费类应用场景。器件通过AEC-Q101等可靠性测试的可能性较高,适用于对长期稳定性有要求的设计。SOD-123FL封装还优化了引脚形状和焊盘设计,提升了回流焊接的良率和机械强度。综合来看,UMBF170G-AE2-R是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的超快恢复二极管,适合用于现代高效能电源系统中的关键整流环节。

应用

UMBF170G-AE2-R广泛应用于多种需要高效整流与快速响应的电子电路中。典型应用包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流与续流二极管,特别是在反激式和正激式转换器中用于能量释放路径。在DC-DC升压、降压及升降压转换器中,该器件常作为续流或箝位二极管使用,利用其快速恢复特性减少开关节点振铃和能量损耗。此外,它也适用于逆变器电路、LED驱动电源、电池充电管理模块以及适配器和充电器等消费类电源产品。
  在便携式设备如智能手机、笔记本电脑和平板电脑中,UMBF170G-AE2-R可用于电源轨切换、电压调节模块(VRM)以及负载开关的保护电路。其小型化封装特别适合高密度PCB布局,有助于实现更轻薄的产品设计。在工业控制与通信设备中,该二极管可用于隔离电源、信号整流和ESD保护路径。此外,也可作为高速开关电路中的钳位元件,防止感性负载引起的电压反冲损坏敏感IC。由于其符合环保标准并支持自动化贴装,因此非常适合大规模生产环境下的应用。

替代型号

MMBF170, MURB170T, B170AW, DF170M

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