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UMB4 发布时间 时间:2025/11/7 23:34:33 查看 阅读:7

UMB4是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的表面贴装肖特基势垒整流二极管,采用紧凑的SOD-123FL封装。该器件专为需要高效率、低功耗和小尺寸的应用而设计,广泛应用于消费电子、便携式设备、电源管理电路以及信号处理系统中。作为一款单芯片单二极管结构的整流元件,UMB4以其优异的开关性能和热稳定性在现代电子设计中占据重要地位。其主要特点是具备较低的正向导通电压降(VF),这有助于减少能量损耗并提高整体系统能效。同时,由于采用了先进的硅外延制造工艺,UMB4能够在高频工作条件下保持稳定的电气特性,适用于DC-DC转换器、逆变器、续流/箝位电路等多种拓扑结构。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了多项国际可靠性认证,确保在工业级温度范围内长期稳定运行。SOD-123FL封装不仅体积小巧(典型尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),还具备良好的散热性能,适合高密度PCB布局和自动化贴片生产流程。

参数

类型:肖特基势垒二极管
  封装:SOD-123FL
  极性:单路
  反向重复峰值电压(VRRM):40V
  平均整流电流(IO):1A
  正向压降(VF):最大0.5V(在IF=1A时)
  反向漏电流(IR):最大0.1mA(在VR=40V时)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +150°C
  存储温度范围(Tstg):-65°C 至 +150°C
  热阻结至环境(RθJA):约250°C/W(取决于PCB布局)
  反向恢复时间(trr):典型值<10ns

特性

UMB4的核心优势在于其基于肖特基势垒原理的低正向压降特性,使其在大电流导通状态下表现出极低的能量损耗。这一特性源于金属-半导体接触形成的势垒结构,与传统的PN结二极管相比,显著降低了导通时的功率消耗。在1A电流下,其最大正向压降仅为0.5V,这意味着在连续工作过程中产生的热量更少,从而提升了系统的整体能效和可靠性。这种低VF表现特别适用于电池供电设备或对热管理要求严格的嵌入式系统。
  该器件具有非常快的开关响应速度,反向恢复时间trr通常小于10纳秒,几乎可以忽略不计。这一特点使得UMB4非常适合用于高频开关电源应用,如同步整流、DC-DC升压/降压转换器以及开关模式电源(SMPS)中的续流路径。快速的开关能力减少了开关瞬态过程中的能量损失,进一步优化了电源效率。
  在可靠性方面,UMB4设计可在-65°C到+150°C的宽结温范围内正常工作,适应严苛的环境条件。其封装采用无铅焊接技术,符合RoHS指令要求,并具备优良的抗湿性和机械强度,能够在自动贴片回流焊工艺中保持稳定性能。此外,该器件的反向漏电流控制良好,在室温下最大仅为0.1mA,即使在高温环境下也能维持相对较低的漏电水平,保障电路的静态功耗处于可控范围。
  SOD-123FL封装的小型化设计极大地节省了PCB空间,适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等高度集成的产品。其标准化引脚排列便于替换同类产品,且支持高速自动化装配,有助于降低生产成本。总体而言,UMB4是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的理想选择,适用于多种现代电子系统的电源与信号整流需求。

应用

UMB4广泛应用于各类中小功率电源管理系统中,尤其是在空间受限但对效率要求较高的场合。常见应用场景包括便携式消费电子产品中的电池充放电保护电路,用作防反接或能量回馈路径的整流元件;在DC-DC转换器中作为续流二极管或同步整流辅助器件,利用其低正向压降特性减少功率损耗,提升转换效率;在AC-DC适配器或LED驱动电源中承担高频整流任务,配合主控IC完成电压调节功能。
  此外,该器件也常用于信号调理电路中的钳位与保护环节,防止瞬态过压对敏感元器件造成损害。例如,在微控制器I/O端口或通信接口(如USB、I2C)中串联UMB4以实现电平隔离和反向电压防护。在逆变器与电机驱动电路中,它可作为续流二极管为感性负载提供泄放路径,避免因电流突变引起的电压尖峰损坏开关管。
  由于其具备良好的高频响应能力和较小的寄生参数,UMB4也被用于射频前端模块或高速数字电路中的信号整形与检测。在太阳能充电控制器、移动电源、无线充电接收模块等绿色能源相关产品中,同样可以看到其身影。总之,凡是需要高效、小型、可靠整流解决方案的设计,UMB4都是一个极具竞争力的选择。

替代型号

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