时间：2025/8/16 18:39:23
阅读：24
UMB3NB3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的功率MOSFET晶体管，主要用于电源管理、负载开关和功率控制等应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，提供低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率电源系统。UMB3NB3是一款N沟道增强型MOSFET，具有较高的电流承载能力和较低的导通损耗。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
漏极电流（ID）：4.9A（在VGS=10V时）
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ（典型值，VGS=10V）
栅极电荷（Qg）：11nC（典型值）
封装形式：DFN3x3（双面散热DFN封装）
工作温度范围：-55°C至150°C
功耗（PD）：2.5W
输入电容（Ciss）：580pF（典型值）
UMB3NB3具有多个关键特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽栅技术，增强了电流控制能力，提高了开关速度并减少了开关损耗。此外，UMB3NB3采用DFN3x3封装，具有良好的热性能和空间利用率，非常适合紧凑型设计。
此外，该MOSFET具有高电流承载能力，在高温环境下仍能保持稳定运行，适合用于高可靠性应用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可在4.5V至20V之间工作，兼容多种驱动电路。同时，该器件的栅极电荷较低，有助于实现高频开关操作，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
UMB3NB3广泛应用于多个领域，包括消费类电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子。在消费类电子产品中，它可用于电池供电设备的电源管理，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。在工业控制系统中，该MOSFET可作为负载开关或电机驱动电路的一部分。此外，它也适用于电信设备中的DC-DC电源模块和服务器电源系统。在汽车电子领域，UMB3NB3可用于车载电源管理系统、LED照明驱动和电动助力转向系统等应用。
STB3NB3, STD3N40L, STM32F030F4P6
